2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩64頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、碳化硅(SiC)電力電子器件作為目前發(fā)展最為成熟的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件，在高壓、大電流以及高頻的電力電子技術(shù)領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。目前，很多廠商都推出了商業(yè)化的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)器件，然而，由于單極性器件的特性和碳化硅材料、器件工藝的限制，這些器件的最高電壓電流等級(jí)往往在1200V/50A以下。為了實(shí)現(xiàn)碳化硅功率器件在高壓大容量電路中的應(yīng)用，將器件并聯(lián)實(shí)現(xiàn)模塊化十分必要。
　　本

2、文首先給出了碳化硅器件外延層設(shè)計(jì)的理論方法，介紹了一種自主研制的碳化硅二極管和JFET芯片的結(jié)構(gòu)和制備流程，并且基于探針臺(tái)對(duì)這些芯片進(jìn)行了測(cè)試分析。
　　然后基于以上自主研制的芯片，進(jìn)行了碳化硅器件模塊化的設(shè)計(jì)和相應(yīng)的熱仿真，并且對(duì)多芯片并聯(lián)的優(yōu)化進(jìn)行了討論分析，成功制備了3500V/15A的全碳化硅功率模塊、4500V/150A的碳化硅二極管模塊和4500V/50A的碳化硅JFET模塊，最后設(shè)計(jì)了JFET功率模塊的驅(qū)動(dòng)電路并進(jìn)行

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論