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文檔簡介
1、高性能白光LED是目前照明光源發(fā)展的方向,以其壽命長、效率高、抗惡劣環(huán)境、環(huán)保、節(jié)能、安全等優(yōu)點(diǎn),而得到國內(nèi)外的廣泛關(guān)注。然而目前,紅色熒光粉在制備工藝和發(fā)光效率上具有明顯的不足,這嚴(yán)重制約了白光LED的進(jìn)一步應(yīng)用,因此研制出能與近紫外和藍(lán)光LED芯片匹配較好的紅色熒光粉是關(guān)鍵。
本文利用高溫固相法制備Sr2MgMoO6∶Eu3+,結(jié)合TG-DSC,XRD和SEM等研究了樣品各個(gè)階段的反應(yīng)及機(jī)理,確定了先升溫至700℃保溫1h
2、,再升溫至1050℃保溫2h,隨爐冷卻后,研細(xì),再升溫至1300℃保溫4h的多步式階梯煅燒工藝,以確保制備中原料的充分反應(yīng)。樣品煅燒后形成的主相為雙鈣鈦礦結(jié)構(gòu),空間群為I4/m。熒光最強(qiáng)發(fā)射峰在616nm處,對應(yīng)Eu3+激發(fā),且在近紫外-藍(lán)光區(qū)域有寬而高的電荷遷移帶(CTB),能有效地匹配NUV-Blue芯片。樣品進(jìn)行A位和B位取代時(shí),發(fā)光強(qiáng)度隨著Eu3+濃度的增加而增強(qiáng),分別在Eu3+濃度達(dá)到26mol%和30mol%時(shí)達(dá)到極值,之后
3、發(fā)光強(qiáng)度基本不變。
在此基礎(chǔ)上,研究了Mo含量對A位摻雜Sr2Mg(Mo,W)O6∶Eu3+微結(jié)構(gòu)、形貌和發(fā)光特性的影響。隨著Mo含量增加,當(dāng)y=0.1時(shí)在250~450nm處具有最強(qiáng)的能量吸收,且晶粒圓潤光滑,結(jié)晶性較好。發(fā)射光譜中,在616nm處有著極強(qiáng)的紅光發(fā)射。
研究了Sm3+共摻雜對A位Eu3+摻雜的Sr2Mg(Mo,WO)6∶Eu3+的影響,對其微結(jié)構(gòu)、形貌和發(fā)光特性進(jìn)行分析:少量Sm3+的摻入對Sr1.
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