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文檔簡介
1、半導(dǎo)體器件微型化是電子產(chǎn)業(yè)的一個重要發(fā)展方向，由于Flash存儲構(gòu)造的限制，其尺寸已經(jīng)走到了理論極限32nm。阻變存儲器主要在器件結(jié)構(gòu)、制備工藝和存儲容量等方面具有優(yōu)勢。它是最有望取代Flash存儲器的新一代存儲器。
本文利用磁控濺射方法，制備了Al/TiO2/ITO、Al/TiO2/Pt和Cu/TiO2/Pt三種不同器件結(jié)構(gòu)的阻變存儲器，使用半導(dǎo)體參數(shù)測試儀對器件性能進行了測試。當制備壓強為1.0Pa、功率為100W，Al/
2、TiO2/ITO器件展現(xiàn)出良好的阻變特性，多次循環(huán)以后器件的高低阻值比大于10。Al/TiO2/ITO器件屬于雙極性阻變存儲器，其Set過程發(fā)生在負半軸，Reset過程發(fā)生在正半軸，這主要是由于Al電極與薄膜的接觸面被氧化為AlOx造成的。當阻變層TiO2薄膜厚度改變，器件的開啟電壓隨著薄膜厚度的增大而增加，這主要是離子遷移率受到電場強度的影響所導(dǎo)致的。通過使用不同的頂電極誘導(dǎo)出不同的阻變機理，Al/TiO2/Pt器件引出了SCLC機制
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