MEMS開關(guān)失效機理及MEMS開關(guān)在微波電路應(yīng)用中的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、目前制約MEMS開關(guān)應(yīng)用的主要瓶頸是開關(guān)的可靠性問題。MEMS開關(guān)的設(shè)計涉及到力學(xué)、材料學(xué)、電磁學(xué)、熱力學(xué)和表面微加工等領(lǐng)域,要改善MEMS開關(guān)的可靠性需要綜合考慮以上各個因素。本文旨在分析MEMS開關(guān)的失效機理并給出相應(yīng)的改進措施,同時對MEMS開關(guān)在微波電路中的典型應(yīng)用進行研究。文中包含主要的工作內(nèi)容如下:
  1.直接接觸式固支梁MEMS開關(guān)的機電性能研究。推導(dǎo)了開關(guān)的下拉電壓,并給出了開關(guān)在up態(tài)和down態(tài)的集總參數(shù)等效

2、電路。通過COMSOL軟件建模仿真,得到開關(guān)的下拉電壓約為40V。采用HFSS軟件對開關(guān)的射頻性能進行仿真,驗證了梁長、梁寬和梁高等關(guān)鍵設(shè)計參數(shù)對開關(guān)插入損耗及隔離度的影響。
  2.直接接觸式固支梁MEMS開關(guān)的失效機理分析。通過實驗實踐發(fā)現(xiàn)了工藝因素導(dǎo)致的開關(guān)失效,進行了工藝調(diào)整;研究了殘余應(yīng)力對開關(guān)彈性系數(shù)帶來的影響,通過開關(guān)梁打孔的方式進行殘余應(yīng)力釋放;同時還研究了溫度因素對開關(guān)可靠性的影響,包括觸點粘連以及開關(guān)梁形變兩方

3、面并分別給出了改進方法。
  3.一種MEMS開關(guān)可靠性測試平臺的設(shè)計。介紹了一種MEMS開關(guān)測試平臺的設(shè)計和實現(xiàn),該測試平臺能進行MEMS開關(guān)的壽命測試并且可以產(chǎn)生任意波形的下拉電壓。該測試平臺的提出可以為MEMS開關(guān)可靠性的研究提供方便的測試手段。
  4.MEMS開關(guān)在微波電路中的典型應(yīng)用研究。以基于MEMS開關(guān)的線型移相器和基于MEMS開關(guān)的可調(diào)帶通濾波器兩個設(shè)計實例為例,研究了MEMS開關(guān)在微波電路中的應(yīng)用。對基于

4、MEMS開關(guān)的四位移相器完成了仿真驗證和實物測試,達到的指標為工作頻率2.1GHz~2.3GHz,帶內(nèi)插入損耗<3dB,回波損耗<-10dB,電壓駐波比<1.25,實現(xiàn)0~180°相移,相移步進12°,中心頻率處移相精度在±3°以內(nèi)。對基于MEMS開關(guān)的可調(diào)帶通濾波器進行了仿真驗證,其設(shè)計指標為中心頻率f01.5~2GHz,通帶帶寬150MHz,帶內(nèi)插入損耗<2dB,回波損耗<-10dB,阻帶衰減≥30dB(當(dāng)f≥1.15f0或f≤0.

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