開(kāi)孔腔體的近場(chǎng)屏蔽效能研究.pdf

1、隨著電子技術(shù)向高頻化和高集成化發(fā)展，幾乎所有的設(shè)備都處于周圍電磁場(chǎng)的潛在影響中，電磁兼容越來(lái)越受到重視。金屬腔體具有良好的電磁屏蔽效果，是電磁兼容的重要手段。由于設(shè)備通風(fēng)、散熱以及外界觀察的需要，腔體上不可避免的存在開(kāi)孔，而開(kāi)孔是影響腔體屏蔽效能的關(guān)鍵因素。由于設(shè)備共存于一個(gè)緊湊的空間中，使得敏感設(shè)備常常處于干擾源的近場(chǎng)區(qū)。在近場(chǎng)區(qū)，電磁場(chǎng)強(qiáng)度和波阻抗具有不均勻性，一些遠(yuǎn)場(chǎng)的結(jié)論不再適用，因此，研究開(kāi)孔腔體的近場(chǎng)屏蔽效能具有十分重要的意

2、義。
　　本文基于時(shí)域有限差分法，分析了開(kāi)孔腔體的近場(chǎng)屏蔽效能的影響因素及其規(guī)律?；谡辉囼?yàn)法，分析了各因素對(duì)開(kāi)孔腔體的近場(chǎng)屏蔽效能影響的主次順序，并對(duì)屏蔽效果進(jìn)行了優(yōu)化。論文主要從以下幾方面展開(kāi):
　　首先，介紹時(shí)域有限差分法的基本原理及差分格式，Courant穩(wěn)定性條件。推導(dǎo)了自由空間與理想導(dǎo)體的邊界條件，并據(jù)此得出了屏蔽腔體的設(shè)置方法。深入研究了Gedney完全匹配層，通過(guò)編制程序?qū)ξ招ЧM(jìn)行了驗(yàn)證。對(duì)激勵(lì)源的引入

3、進(jìn)行了分析和研究，介紹了常用的隨時(shí)間變化的源和常用的激勵(lì)源的設(shè)置方法。
　　其次，建立了開(kāi)孔腔體的屏蔽效能分析模型，引入平面波，編制程序得到屏蔽效能的數(shù)值解，與等效傳輸線法的結(jié)論吻合，證明了算法的有效性。引入了電偶極子源，研究了開(kāi)孔大小、開(kāi)孔形狀、孔源距離、激勵(lì)源和觀察點(diǎn)偏移距離等不同因素對(duì)開(kāi)孔腔體的近場(chǎng)屏蔽效能的影響。
　　最后，設(shè)計(jì)了一套正交試驗(yàn)，通過(guò)直觀分析和方差分析，得到了各因素對(duì)屏蔽效能影響的主次順序，確定了影響因