變頻器IGBT電熱模型分析及散熱系統(tǒng)設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著電力電子技術和器件封裝技術的發(fā)展,大功率電力電子器件的微型化和集成化程度不斷提高,從而使變頻器的容量得到大幅度提高,變頻器散熱系統(tǒng)設計已成為提升其性能的關鍵問題。
  而現(xiàn)有的變頻器中采用的功率器件主要是以IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊為主,變頻器產(chǎn)生的熱量絕大部分是由IGBT模塊的功率損耗引起的,因此變頻器的散熱問題主要是變頻器中IGBT模塊的散熱。本文從IGBT的電、熱模型分析出發(fā),結合 IGBT芯片的散熱理論和變頻器

2、IGBT模塊的具體工作過程,以由6個IGBT模塊(富士公司:2MBI660VN-120-50)組成的一款變頻器展開,深入研究其散熱問題的解決并加以驗證。
  本文首先詳細介紹變頻器的工作原理和IGBT散熱的基本理論,然后具體分析變頻器IGBT模塊的開關工作過程。然后在此基礎上,對IGBT的電、熱模型進行分析,進一步研究IGBT的工作特性和等效熱路,并推導建立出三相變頻器系統(tǒng)逆變電路部分的整體等效熱路模型。
  接著,針對具體

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