基于RapidIO的大容量固態(tài)存儲系統(tǒng)設計與實現(xiàn).pdf

1、在軍事運用領域，由于其對硬件環(huán)境要求的嚴苛性，機械存儲設備無法滿足需求，絕大部分場合都是使用固態(tài)存儲技術來實現(xiàn)大容量存儲。早期的軍用實現(xiàn)方案為基于掉電備份的DRAM存儲，但由于該技術需要獨立的供電系統(tǒng)，系統(tǒng)功耗高、存儲的容價比高等缺點，已逐漸被淘汰，轉而由基于閃存的固態(tài)存儲技術來實現(xiàn)。
　　存儲在軍事場合的應用，如雷達前端采集數(shù)據(jù)的存儲、傳感器前端采集數(shù)據(jù)的存儲等，數(shù)據(jù)存儲的需求大部分是：連續(xù)寫入；寫入、讀取帶寬需持續(xù)保證；系統(tǒng)需

2、具備文件刪除等管理功能。面對這些需求，若直接采用固態(tài)存儲盤（SSD）來進行存儲管理，可能會存在多次寫入、刪除文件操作后，數(shù)據(jù)存儲速度變慢，寫入帶寬短時間內(nèi)不滿足最低存儲要求的情況。為了避免這些問題，目前廣泛使用的方法是采用NAND Flash顆粒組成專用存儲系統(tǒng)。早期國內(nèi)各大院校以及科研機構都開發(fā)出過基于NAND Flash顆粒的大容量存儲設備，但大部分的設計方案還是停留在簡單的順序存儲、讀取設計上，也就是不支持文件的管理，對多用戶接入

3、、多數(shù)據(jù)源存儲、讀寫同時操作的應用場合是不能夠很好的支持。
　　針對日益變化的存儲需求，本文設計了一種基于RapidIO接口的固態(tài)存儲系統(tǒng)。該存儲系統(tǒng)采用同步MLC NANDFlash作為存儲介質，使用16通道8級流水寫入技術，使后端連續(xù)存儲速度可達4GB/s以上，且隨機1MB塊數(shù)據(jù)讀取速度可達2.4GB/s以上。ECC處理方面則采用BCH編解碼算法，每個通道使用一個帶寬達200MB/s的處理核，從而使整個系統(tǒng)的ECC處理帶寬大于