寬帶頻率源的設(shè)計與實現(xiàn).pdf

1、隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，頻率合成技術(shù)也有了很大的進步，從最初的直接頻率合成技術(shù)到間接頻率合成技術(shù)再到最新的直接數(shù)字頻率合成技術(shù)。技術(shù)的進步同樣使得電子系統(tǒng)對頻率合成器的指標有了越來越高的要求。作為電子系統(tǒng)的心臟，頻率合成器性能的好壞會直接影響到整個系統(tǒng)的性能。
　　本文提出了一種2.5GHz-14.6GHz超寬帶低相位噪聲頻率合成器的實現(xiàn)方法。
　　本文首先介紹了頻率合成技術(shù)的發(fā)展歷程，并介紹了每個發(fā)展階段中重要的頻率合成技術(shù)

2、的特點以及頻率合成器的關(guān)鍵指標，然后介紹了2.5GHz-14.6GHz超寬帶頻率合成器的需求指標，通過指標分析了實現(xiàn)此頻率合成器需要用到的關(guān)鍵技術(shù)以及方法。
　　通過分析，最終選定使用PLL+DDS的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)頻率合成器，通過對鎖相環(huán)系統(tǒng)的分析，將鎖相環(huán)系統(tǒng)分解成鑒相器、預(yù)分頻器、小數(shù)分頻器、振蕩器等幾個部分，其中頻率步進主要由小數(shù)分頻器決定；雜散主要由鑒相器和小數(shù)分頻器決定；各部分對相位噪聲都有一定影響。通過對每部分的分析，對每一

3、部分都給出了一兩種可選方案。
　　本文隨后對分析中所提到的每部分的方案進行了設(shè)計與實現(xiàn)，在設(shè)計過程中對備選方案進行了最終的確認，同時對一些分析過程中沒有注意到的以及不合理的地方進行了補充以及更正。同時給出了每個模塊設(shè)計過程中需要注意的問題并給出了相應(yīng)的解決方案。然后給出了每部分的原理圖、PCB板圖以及實物圖。最后給出了屏蔽腔體的設(shè)計圖。
　　通過測試，文章設(shè)計的頻率源頻率步進小于1Hz，非諧波雜散抑制基本滿足-75dBc的要