SiC單相光伏逆變器效率分析.pdf

1、SiC功率器件優(yōu)異的性能引起了廣泛關注，在光伏發(fā)電中應用研究也是當前的熱點。對單相光伏逆變的主要結構以及常用的單相逆變器結構進行了綜述，逆變器是光伏逆變器系統(tǒng)的核心環(huán)節(jié)，本文將SiCMOSFET應用于光伏逆變器中，研究SiCMOSFET對于逆變器效率提升的影響。
　　SiCMOSFET的特性與傳統(tǒng)的SiMOSFET有很大的差別，而且常用于高速開關的場合，易出現(xiàn)誤觸發(fā)現(xiàn)象。根據(jù)SiCMOSFET的特性以及應用特點，在電路結構、電阻設

2、計、驅動電壓、可靠性設計等方面進行綜合考慮，設計了SiCMOSFET驅動電路。
　　SiCMOSFET體二極管反向恢復特性優(yōu)異，能夠直接應用于全橋硬開關逆變器中，為了提升逆變器的功率密度，將SiCMOSFET全橋逆變器的開關頻率提高至100kHz，對逆變器的主要參數(shù)進行了設計。器件工作于硬開關狀態(tài)，根據(jù)電路的工作狀態(tài)，進行了逆變器布局優(yōu)化，以減小關鍵回路上的雜散電感;并分析了逆變器的效率，與基于SiMOSFET的20kHzH6逆變

3、器進行了效率對比;同時將SiCMOSFET全橋逆變器的工作頻率降低至20kHz，并進行了效率分析。最后搭建了實驗平臺，測試了相應的效率曲線，并進行了對比。
　　對100kHz的SiCMOSFET全橋逆變器的損耗進行了研究分析，找出影響其效率的主要因素。為了進一步提高逆變器的效率，根據(jù)逆變器的工作狀態(tài)，在逆變器中采用了ZVS軟開關技術。首先對軟開關電路的工作過程進行了闡述，并進行了相關參數(shù)的設計;其次，根據(jù)電路的工作狀態(tài)，對軟開關逆