多波束小型化T-R組件關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、有源相控陣?yán)走_(dá)憑借其超遠(yuǎn)程探測距離、高精度測量能力、多目標(biāo)跟蹤和高數(shù)據(jù)更新率等諸多優(yōu)勢在軍用產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。有源相控陣?yán)走_(dá)中T/R組件的數(shù)量和作用決定了其生產(chǎn)成本和性能指標(biāo)的重要性，尤其是針對機(jī)載、彈載和星載等雷達(dá)，T/R組件的體積和重量將決定戰(zhàn)機(jī)、導(dǎo)彈等國防設(shè)備的機(jī)動性能，只有高性能、體積小、重量輕、低成本、高可靠性的T/R組件才能滿足日益復(fù)雜的作戰(zhàn)環(huán)境。從目前的發(fā)展趨勢來看，單片微波集成電路和微波多芯片組件技術(shù)仍然是實(shí)現(xiàn)T/R

2、組件小型化、降低成本的關(guān)鍵技術(shù)。
　　本文從兩個方向展開工作，一是單片低噪聲放大器的設(shè)計，二是利用微波多層板技術(shù)減小T/R組件的尺寸、降低加工成本。具體研究內(nèi)容包括：
　　一、系統(tǒng)的介紹了64單元T/R陣列的結(jié)構(gòu)框架及饋電方式，詳細(xì)闡述了單個T/R單元的電路結(jié)構(gòu)與性能指標(biāo)，包括基本功能、技術(shù)要求以及制定了具體的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，分別設(shè)計接收、發(fā)射通道，并根據(jù)各元器件電性能指標(biāo)進(jìn)行鏈路預(yù)算；
　　二、基于0.13μm GaA

3、s PHEMT工藝線設(shè)計了一款工作在K波段的單片低噪聲放大器，在工作頻段內(nèi)，噪聲系數(shù)小于1.8dB，增益大于20dB，輸入輸出駐波比小于1.8，反向隔離度大于30dB，1dB壓縮點(diǎn)輸出功率3.7dBm，芯片尺寸小于1.65mm×0.75mm×0.1mm；
　　三、對微波多芯片組件中的三種基本類型進(jìn)行了比較，最后采用微波多層板技術(shù)實(shí)現(xiàn) T/R組件的高密度集成，細(xì)致介紹了微波多層板的選材與工藝，并針對板件內(nèi)的無源電路進(jìn)行研究，考慮到微