電力電子技術(shù)期末復(fù)習(xí)題及其答案

1、第一章復(fù)習(xí)題 第一章復(fù)習(xí)題1. 1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？ 使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？答：當(dāng)晶閘管承受正向電壓時(shí)，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導(dǎo)通。2．維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？ ．維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？答：（1）維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。（2）若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，只能利用外加電壓和外電路的作用

2、使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下，即降到維持電流以下，便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。3.GTO 3.GTO 和普通晶閘管同為 和普通晶閘管同為 PNPN PNPN 結(jié)構(gòu)，為什么 結(jié)構(gòu)，為什么 GTO GTO 能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？ 能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？答：（1）GTO 在設(shè)計(jì)時(shí)，a2 較大，這樣晶體管 v2 控制靈敏，易于 GTO 關(guān)斷；（2）GTO 導(dǎo)通時(shí) a1+a2 的更接近于 1，普通晶閘管 a1+a2≥1

3、.5，而 GTO 則為約等于1.05，GTO 的飽和程度不深，接近于臨界飽和，這樣為門極控制提供了有利條件；（3）多元集成結(jié)構(gòu)每個(gè) GTO 元陰極面積很小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得 p2極區(qū)所謂的橫向電阻很小，從而使從門極抽出較大的電流成為可能。4．如何防止電力 ．如何防止電力 MOSFET MOSFET 因靜電感應(yīng)引起的損壞？ 因靜電感應(yīng)引起的損壞？答：（1）一般在不用時(shí)將其三個(gè)電極短接；（2）裝配時(shí)人體，工作臺，電烙鐵必須接

4、地，測試時(shí)所有儀器外殼必須接地；（3）電路中，柵，源極間常并聯(lián)齊納二極管以防止電壓過高。（4）漏，源極間也要采取緩沖電路等措施吸收過電壓。5.IGBT,GTR,GTO 5.IGBT,GTR,GTO 和電力 和電力 MOSFET MOSFET 的驅(qū)動電路各有什么特點(diǎn)？ 的驅(qū)動電路各有什么特點(diǎn)？答：IGBT 驅(qū)動電路的特點(diǎn)是：驅(qū)動電路具有較小的輸出電阻，IGBT 是電壓驅(qū)動型器件，IGBT 的驅(qū)動多采用專用的混合集成驅(qū)動器。GTR 驅(qū)動電路

5、的特點(diǎn)是：驅(qū)動電路提供的驅(qū)動電流有足夠陡的前沿，并有一定的過沖，這樣可加速開通過程，減小開通損耗，關(guān)斷時(shí)，驅(qū)動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅(qū)動電流，并加反偏截止電壓，以加速關(guān)斷速度。GTO 驅(qū)動電路的特點(diǎn)是：GTO 要求其驅(qū)動電路提供的驅(qū)動電流的前沿應(yīng)有足夠的幅值和陡度，且一般需要在整個(gè)導(dǎo)通期間施加正門極電流，關(guān)斷需施加負(fù)門極電流，幅值和陡度要求更高，其驅(qū)動電路通常包括開通驅(qū)動電路，關(guān)斷驅(qū)動電路和門極反偏電路三部分。電力 MOSFET

6、 驅(qū)動電路的特點(diǎn)：要求驅(qū)動電路具有較小的輸入電阻，驅(qū)動功率小且電路簡單。6. 6.全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么？試分析 全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么？試分析 RCD RCD 緩沖電路中各元件的作用。 緩沖電路中各元件的作用。答：全控型器件緩沖電路的主要作用是抑制器件的內(nèi)因過電壓，du/dt 或過電流和 di/dt，8、選用晶閘管的額定電壓值應(yīng)比實(shí)際工作時(shí)的最大電壓大 2-3 倍，使其有一定的電壓裕量。9、選用晶閘管的額定

7、電流時(shí)，根據(jù)實(shí)際最大電流計(jì)算后至少還要乘以 1.5-2 倍。10、在螺栓式晶閘管上有螺栓的一端是陽極 。11、普通晶閘管的圖形符號是： 三個(gè)電極分別是陽極 A 陰極 K 和門極 G 晶閘管的導(dǎo)通條件是承受正向電壓，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下，關(guān)斷條件 利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值一下。12、可關(guān)斷晶閘管的圖形符號是： 電力場效應(yīng)管的圖形符號是：絕緣柵雙極晶體管的圖形符

8、號： 電力晶體管的圖形符號是：13、絕緣柵雙極晶體管是 G 作為柵極 E 作為發(fā)射極與集電極 C 復(fù)合而成。14、1、雙向晶閘管的圖形符號是 ，三個(gè)電極分別是 第一陽極 T1， 第二陽極 T2 和 門極 G ；雙向晶閘管的的觸發(fā)方式有 I+ 、 I- 、 III+ 、 III .。15、一般操作過電壓都是瞬時(shí)引起的尖峰電壓，經(jīng)常使用的保護(hù)方法是 RC 過電壓抑

9、制電路而對于能量較大的過電壓還需要設(shè)置非線性電阻保護(hù)，目前常用的方法有雪崩二極管和金屬氧化物壓敏電阻 。16、在電力晶閘管電路中，常用的過電流保護(hù)措施有 快速熔斷器 、 串進(jìn)線電抗器、 接入直流快速開關(guān) 、 過電流繼電器。（寫出四種即可）17、給晶閘管陽極加上一定的正向電壓在門極加上正向電壓，并形成足夠的門極電流，晶體管才能導(dǎo)通。18、對變流電路實(shí)施過電壓保護(hù)時(shí)，過電壓保護(hù)用到的主要原件有：電阻、電容、二極管、電感。 第二章復(fù)習(xí)題 第