la,1.44nd,0.4sr,0.16cuo,4薄膜電荷有序超導(dǎo)態(tài)的磁通動(dòng)力學(xué)研究

1、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文LaNdSrCuO薄膜電荷有序超導(dǎo)態(tài)的磁通動(dòng)力學(xué)研究姓名：章一奇申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：李曉光20080501摘要式。而在低溫下，磁通線受到靜態(tài)條紋相的釘扎，形成準(zhǔn)二維的磁通玻璃態(tài)。因此靜態(tài)電荷條紋相使磁通物質(zhì)發(fā)生從三維向二維過(guò)渡。此外在電流驅(qū)動(dòng)下磁通液相的耗散源于正反渦旋對(duì)的自由運(yùn)動(dòng)，而磁通玻璃相的耗散源于磁通線的集體蠕動(dòng)。第五章我們利用對(duì)材料微結(jié)構(gòu)變化靈敏的超聲聲速和衰減這一實(shí)驗(yàn)手段研

2、究L a l ．8 8 S r o ．1 2 C u l ．y Z n y 0 4 ( y = O ．0 0 ，0 ．O l ，0 ．0 2 ，0 ．0 3 ) 多晶樣品中Z n 摻雜對(duì)這一體系局域結(jié)構(gòu)畸變的影響。發(fā)現(xiàn)少量的Z n 摻雜有利于樣品中低溫四方相( L 1 T )疇結(jié)構(gòu)的形成，而過(guò)多的Z n 摻雜會(huì)破壞m 疇的形成。此外，局域晶格畸變隨Z n 摻雜的變化趨勢(shì)和用m u o n 自旋馳豫實(shí)驗(yàn)探測(cè)的L a 2 ．x S r x

3、C u l ．v Z n y 0 4 ( x = 0 ．1 ，O 。1 1 5 ，O ．1 3 ) 局域磁有序隨Z n 摻雜的變化規(guī)律一致。這很好的反應(yīng)了在L S C O體系中，電荷、自旋和晶格的自由度是耦合在一起的。此外，我們還研究不同樣品的超聲衰減和聲速隨磁場(chǎng)的變化規(guī)律，給出了Z n 摻雜可以釘扎動(dòng)態(tài)條紋相的實(shí)驗(yàn)證據(jù)。關(guān)鍵詞：L a l ．4 4 N d o ．4 S r o ．1 6 C u 0 4 薄膜 薄膜外沿應(yīng)力 熱激活磁通