2019年沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)考研專業(yè)課考試大綱_j622微電子器件工藝

1、碩士研究生入學(xué)考試大綱加試科目名稱：微電子器件工藝一、參考書(shū)目《微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)》電子工業(yè)出版社2003.1StephenA.Campbell二、考試要求：系統(tǒng)地掌握外延、擴(kuò)散、離子注入、氧化、光刻、制版等微電子工藝原理，并能完成工藝設(shè)計(jì)。三、考試內(nèi)容：1）加工環(huán)境與襯底制備a:微電子器件的加工環(huán)境b:IC發(fā)展與硅材料的關(guān)系c:襯底制備2）外延a:外延工藝b:外延層質(zhì)量的控制3）氧化技術(shù)a:二氧化硅在微電子器件制造中的用途b

2、:二氧化硅的特性c:二氧化硅的制備方法3)擴(kuò)散技術(shù)a:摻雜在微電子器件中的應(yīng)用b:摻雜方式、摻雜原理、液態(tài)源擴(kuò)散、固態(tài)源擴(kuò)散和擴(kuò)散層質(zhì)量分析與檢驗(yàn)c:離子注入4）光刻技術(shù)a:光刻膠的特性和配制b:光刻工藝c:光刻質(zhì)量分析5)制版技術(shù)a:掩模版圖形的形成b:電子束制版6)表面圖形的形成a:濕法腐蝕、干法腐蝕、砷化鎵腐蝕、7)表面鈍化a:鈍化方法8)隔離技術(shù)a:PN結(jié)隔離技術(shù)b:二氧化硅介質(zhì)隔離9)電極制備及封裝a:歐姆接觸b:蒸發(fā)與濺射c

3、:平坦化技術(shù)10)CMOS集成電路工藝設(shè)計(jì)a:CMOS工藝設(shè)計(jì)b:多晶硅柵制造工藝c:CMOS工藝設(shè)計(jì)規(guī)則d:n阱CMOS反相器的電路與管芯制造工藝過(guò)程11)超純水的制備a:超純水的制備方法b:微電子器件使用的制水系統(tǒng)碩士研究生入學(xué)考試大綱加試科目名稱：微電子器件工藝一、參考書(shū)目《微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)》電子工業(yè)出版社2003.1StephenA.Campbell二、考試要求：系統(tǒng)地掌握外延、擴(kuò)散、離子注入、氧化、光刻、制版等微電

4、子工藝原理，并能完成工藝設(shè)計(jì)。三、考試內(nèi)容：1）加工環(huán)境與襯底制備a:微電子器件的加工環(huán)境b:IC發(fā)展與硅材料的關(guān)系c:襯底制備2）外延a:外延工藝b:外延層質(zhì)量的控制3）氧化技術(shù)a:二氧化硅在微電子器件制造中的用途b:二氧化硅的特性c:二氧化硅的制備方法3)擴(kuò)散技術(shù)a:摻雜在微電子器件中的應(yīng)用b:摻雜方式、摻雜原理、液態(tài)源擴(kuò)散、固態(tài)源擴(kuò)散和擴(kuò)散層質(zhì)量分析與檢驗(yàn)c:離子注入4）光刻技術(shù)a:光刻膠的特性和配制b:光刻工藝c:光刻質(zhì)量分析5