2019華中科技大學901半導體物理考試大綱

1、1華中科技大學碩士研究生入學考試《半導體物理》考試大綱華中科技大學碩士研究生入學考試《半導體物理》考試大綱科目名稱：半導體物理代碼：901第一部分第一部分考試說明考試說明一、考試性質(zhì)全國碩士研究生入學考試是為高等學校招收碩士研究生而設置的。它的評價標準是高等學校優(yōu)秀本科畢業(yè)生能達到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有基本的半導體物理基礎并有利于在專業(yè)上擇優(yōu)選拔?？荚噷ο鬄閰⒓尤珖T士研究生入學考試的本科畢業(yè)生，或具有同等學歷的在職人

2、員。二、考試的學科范圍考試內(nèi)容包括：半導體中的電子狀態(tài)、半導體中雜質(zhì)和缺陷能級、半導體中載流子的統(tǒng)計分布、半導體的導電性、非平衡載流子、pn結(jié)、金屬和半導體的接觸、半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)、半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)、半導體的光學性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象、半導體的熱電性質(zhì)。三、評價目標本課程考試的目的是考察考生對半導體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基礎知識解決電子科學與技術(shù)相關(guān)問題的能力。四、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)1答卷方式：閉卷，筆試。

3、2答題時間：150分鐘。3總分：滿分150分4題型比例名詞解釋20、填空題20、證明題20、作圖及說明題50、簡答題10、計算題10、論述題203表面態(tài)；表面電場效應；MIS結(jié)構(gòu)的C–V特性；硅–二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)；表面電導及遷移率；表面電場對pn結(jié)特性的影響。9半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)半導體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖；半導體異質(zhì)pn結(jié)的電流電壓特性及注入特性；半導體異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)及其電子能態(tài)與特性；半導體應變異質(zhì)結(jié)構(gòu)；GaN基半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)；半導體超晶