2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、1附件2國家科技重大專項核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產(chǎn)品2010年課題申報指南一、高端通用芯片方向課題課題1安全適用計算機安全適用計算機CPUCPU關鍵技術研究關鍵技術研究1.研究目標圍繞國產(chǎn)CPU的技術發(fā)展需求,針對國內先進集成電路制造工藝,開展CPU新型架構、CPU實現(xiàn)技術和應用技術的研究。2.考核指標(1)技術指標1.1新型架構研究(要求完成驗證系統(tǒng)設計)1.1.1單核或同構異構多核CPU架構,綜合功能性能達到國際同類產(chǎn)品

2、水平;1.1.2動態(tài)功耗管理和設計優(yōu)化,功耗小于3W;1.1.3基于新型架構的編譯工具鏈技術研究(與基礎軟件方向互動)。1.2實現(xiàn)技術研究1.2.1高速PHY設計技術研究(要求完成流片驗證):DDR23、SATA2.0,符合相關的技術標準;1.2.2片上存儲器全定制設計技術研究(要求完成流片驗證):A)多端口寄存器堆容量不小于64字64位,4讀4寫,訪問時間小于0.5ns;B)SRAM容量不小于1024位64位,訪問時間小于0.5ns。

3、1.2.3高性能圖形加速器設計(要求完成FPGA驗證):支持3D、31.1.5多層次動態(tài)功耗管理技術;1.1.6實時硬件調試功能;1.1.7性能監(jiān)視和評測功能;1.1.8至少申請10項發(fā)明專利。1.2嵌入式CPU存儲器設計關鍵技術研究1.2.1高性能、低功耗、多端口寄存器堆設計技術研究(要求完成流片驗證):不小于32字32位,4讀2寫,訪問時間小于0.8ns;1.2.2SRAM(要求完成流片驗證):深度168192字、寬度2128位可配

4、置;主要指標不低于同一工藝下相同配置的SRAM典型性能;1.2.3符合業(yè)界標準的完整SRAMRF設計文件;1.2.4至少3項發(fā)明專利。1.3嵌入式CPU低功耗設計優(yōu)化技術及專用工具研發(fā)1.3.1內部時鐘樹綜合和優(yōu)化技術及專用工具:功耗指標優(yōu)于主流EDA工具10%以上;1.3.2提供符合工業(yè)界標準的設計文件,實現(xiàn)與業(yè)界標準流程的集成結合。1.3.3嵌入式CPU編譯及集成開發(fā)調試環(huán)境研發(fā)(與基礎軟件方向互動)(2)應用指標2.1無線傳感網(wǎng)絡

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