深圳大學(xué)數(shù)字電路設(shè)計(jì)作業(yè)答案

1、作業(yè)第二章1、要形成一個(gè)最簡(jiǎn)單的完整的集成電路工藝，至少需要多少層版圖。請(qǐng)列出來(lái)。有源區(qū)NWellPN多晶硅多晶硅接觸孔有源區(qū)接觸孔金屬12、設(shè)計(jì)規(guī)則所提供的是版圖設(shè)計(jì)的指南，它的基本要素是什么？最小線寬3、一個(gè)好的封裝必須滿足哪些要求。表2.3中的封裝那個(gè)最便宜。電氣要求:低寄生電容電阻電感等機(jī)械要求:可靠牢固熱要求:散熱性好經(jīng)濟(jì)要求:便宜DIP封裝最便宜4、對(duì)硅片進(jìn)行摻雜一般采用那兩種方法，分別如何進(jìn)行？擴(kuò)散，在擴(kuò)散注入中圓片放在一

2、個(gè)石英管內(nèi)，置入加熱爐中，向管內(nèi)通入含有摻雜劑的氣體。爐子的高溫一般在9001100度，使摻雜劑同時(shí)垂直和水平地?cái)U(kuò)散入暴露的表面部分。最終摻雜劑的濃度在表面最大并隨進(jìn)人材料的深度按高斯分布降低。離子注入在離子注入中摻雜劑以離子形式進(jìn)入材料。離子注入系統(tǒng)引導(dǎo)純化了的離子束掃過(guò)半導(dǎo)體表面，離子的加速度決定了它們穿透材料的深度，而離子流的大小和注入時(shí)間決定了劑量。離子注入法可以獨(dú)立控制注人深度和劑量，這就是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造業(yè)大部分已用離子注入取

3、代擴(kuò)散的原因。作業(yè)第三章1、對(duì)如下圖所示的NMOS管和PMOS管，假設(shè)W=1um，L=0.25um。當(dāng)工作電壓如下所示，判斷其工作狀態(tài)，并計(jì)算源漏電流ID。其中:NMOS：kn=115μAV2VT0=0.43Vλ=0.06V–1PMOS:kp=30μAV2VT0=–0.4Vλ=0.1V–1.a.NMOS:VGS=2.5VVDS=2.5V.PMOS:VGS=–0.5VVDS=–1.25V.b.NMOS:VGS=3.3VVDS=2.2V.P

4、MOS:VGS=–2.5VVDS=–1.8V.c.NMOS:VGS=0.6VVDS=0.1V.PMOS:VGS=–2.5VVDS=–0.7V.作業(yè)第四章1、假設(shè)某工藝，NMOS載流子遷移率是PMOS的2倍，且溝道寬度為W，長(zhǎng)度為L(zhǎng)的NMOS管，其等效電阻為R，源、漏、柵的電容均為C，稱其為單位尺寸NMOS，求單位尺寸的PMOS管的等效電阻和各個(gè)端電容。如果溝道寬度為NW，長(zhǎng)度為L(zhǎng)不變的晶體管，稱為N倍尺寸晶體管，求N倍尺寸PMOS管和N

5、MOS管的等效電阻和各個(gè)端的電容。答：?jiǎn)挝怀叽绲腜MOS各端口電容為C，源漏等效電阻為2R。N倍尺寸的NMOS管，其等效電阻為RN源漏柵各端口電容均為NCN倍尺寸的PMOS管，其等效電阻為2RN源漏柵各端口電容均為NC2、求A到Y(jié)的延遲。采用Elme延遲模型。其中“1”表示此晶體管為上題中單位尺寸晶體管，對(duì)于NMOS即其等效電阻為R，各端口電容均為C。“2”表示為2倍尺寸晶體管。D=6RC3、上題中，如果在Y之前有一段導(dǎo)線，其電阻為R電