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文檔簡介
1、1、已知Mg2半徑為0.072nm,O2半徑為0.140nm,計算MgO晶體結(jié)構(gòu)的堆積系數(shù)與密度。解:MgO為NaCl型,O2做密堆積,Mg2填充空隙。=0.140nm,?2or?2Mgr=0.072nm,=4,晶胞中質(zhì)點體積:,Z22(4343)4oMgrr????????,晶胞體積=,堆積系數(shù)=晶胞中MgO體積晶胞體積)(2????rra3a=68.5%,密度=晶胞中MgO質(zhì)量晶胞體積=3.49gcm3。2、(1)一晶面在x、y、z
2、軸上的截距分別為2a、3b、6c,求出該晶面的米勒指數(shù);(2)一晶面在x、y、z軸上的截距分別為a3、b2、c,求出該晶面的米勒指數(shù)。解:(1)∵h(yuǎn):k:l=12:13:16=3:2:1,∴該晶面的米勒指數(shù)為(321);(2)(321)3、設(shè)原子半徑為R,試計算體心立方堆積結(jié)構(gòu)的(100)、(110)、(111)面的面排列密度和晶面族的面間距。解:在體心立方堆積結(jié)構(gòu)中:Ra340?(100)面:面排列密度=??589.01632342?
3、???RR面間距=RRa155.13220??(110)面:面排列密度=??????833.02833243422????RRR面間距=RRa633.1322220??(111)面:面排列密度=????222423343160.340RR???????????面間距=Ra2230?4、臨界半徑比的定義是:緊密堆積的陰離子恰好互相接觸,并與中心的陽離子也恰好接觸的條件下,陽離子半徑與陰離子半徑之比。即每種配位體的陽、陰離子半徑比的下限。計
4、算下列配位的臨界半徑比:(a)立方體配位;(b)八面體配位;(c)四面體配位;(d)三角形配位。解:(1)立方體配位在立方體的對角線上正、負(fù)離子相互接觸,在立方體的棱上兩個負(fù)離子相互接觸。因此:]22[2222222)()()()(?????????rrrrr7、試根據(jù)原子半徑R計算面心立方晶胞、六方晶胞、體心立方晶胞的體積。解:面心立方晶胞:3330216)22(RRaV???六方晶胞(13):32202823)238()2(23RR
5、RcaV???????體心立方晶胞:33303364)34(RRaV???8、什么叫表面張力和表面能在固態(tài)下和液態(tài)下這兩者有何差別答:表面張力:垂直作用在單位長度線段上的表面緊縮力或?qū)⑽矬w表面增大一個單位所需作的功。表面能:恒溫、恒壓、恒組成情況下,可逆地增加物系表面積須對物質(zhì)所做的非體積功稱為表面能;液體:不能承受剪應(yīng)力,外力所做的功表現(xiàn)為表面積的擴(kuò)展,因為表面張力與表面能數(shù)量是相同的;固體:能承受剪切應(yīng)力,外力的作用表現(xiàn)為表面積的增
6、加和部分的塑性形變,表面張力與表面能不等。9、一般說來,同一種物質(zhì),其固體的表面能要比液體的表面能大,試說明原因。解:同一種物質(zhì),其液體固體的表面結(jié)構(gòu)不同,液體分子可自由移動,總是通過形成球形表面來降低其表面能;固體則不能,固體質(zhì)點不能自由移動,只能通過表面質(zhì)點的極化、變形、重排來降低系統(tǒng)的表面能,固體表面處于高能量狀態(tài)(由于表面力的存在)。10、MgO—Al2O3—SiO2系統(tǒng)的低共熔物放在Si3N4陶瓷片上,在低共熔溫度下,液相的表
7、面張力為900103Nm,液體與固體的界面能為600103Nm,測得接觸角為70.52,求(1)Si3N4的表面張力。(2)把Si3N4在低共熔溫度下進(jìn)行熱處理,測試其熱腐蝕的槽角60,求Si3N4的晶界能?解:(1)已知γLV=900103NmγSL=600103Nmθ=70.52γSV=γSLγLVcosθ=600103900103cos70.25=900.13103Nm(2)已知φ=60γSS=2γSVcosФ2=2900103c
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