微電子學(xué)考試題庫(kù)及答案

1、1、PN結(jié)電容可分為過(guò)渡區(qū)電容和擴(kuò)散電容兩種，它們之間的主要區(qū)別在于擴(kuò)散電容產(chǎn)生于過(guò)渡區(qū)外的一個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度范圍內(nèi)，其機(jī)理為少子的充放電，而過(guò)渡區(qū)電容產(chǎn)生于空間電荷區(qū)，其機(jī)理為多子的注入和耗盡。2、當(dāng)MOSFET器件尺寸縮小時(shí)會(huì)對(duì)其閾值電壓VT產(chǎn)生影響，具體地，對(duì)于短溝道器件對(duì)VT的影響為下降，對(duì)于窄溝道器件對(duì)VT的影響為上升。4、硅絕緣體SOI器件可用標(biāo)準(zhǔn)的MOS工藝制備，該類器件顯著的優(yōu)點(diǎn)是寄生參數(shù)小，響應(yīng)速度快等。5、PN結(jié)擊穿的機(jī)制

2、主要有雪崩擊穿、齊納擊穿、熱擊穿等幾種，其中發(fā)生雪崩擊穿的條件為VB6Egq。6、當(dāng)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)之后，漏電流發(fā)生不飽和現(xiàn)象，其中主要的原因有溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，漏溝靜電反饋效應(yīng)和空間電荷限制效應(yīng)。8、熱平衡時(shí)突變PN結(jié)的能帶圖、電場(chǎng)分布，以及反向偏置后的能帶圖和相應(yīng)的IV特性曲線。答案：見(jiàn)最后附件7、截止頻率。答案：對(duì)于共基極接法，截止頻率即共基極電流增益下降到低頻時(shí)的倍時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率值，對(duì)于共射極接法，截止頻率是指共射極電流增

3、益下降到倍時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率值，其中有。1、如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？答案：晶體管的開(kāi)關(guān)速度取決于開(kāi)關(guān)時(shí)間，它包括開(kāi)啟時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間，綜合考慮，提高速度的主要措施有：（1）采用摻金工藝，以增加復(fù)合中心，加速載流子的耗散，降低存儲(chǔ)時(shí)間；（2）降低外延層的電阻率，以降低；（3）減小基區(qū)寬度，降低基區(qū)渡越時(shí)間；（4）減小發(fā)射結(jié)結(jié)面積，以減小和，從而減小延遲時(shí)間；（5）適當(dāng)控制并選擇合適的工作條件。3、改善晶體管頻率特性的主要措施。答案：（1）降低

4、基區(qū)渡越時(shí)間，如減小基區(qū)寬度等；（2）降低發(fā)射區(qū)渡越時(shí)間，如減小，增加發(fā)射區(qū)少子的擴(kuò)散長(zhǎng)度，作較陡的雜質(zhì)分布，以減小減速場(chǎng)的作用；（3）降低發(fā)射結(jié)充放電時(shí)間和集電結(jié)充放電時(shí)間，如減小發(fā)射結(jié)與集電結(jié)的面積等；（4）降低，如降低集電極電阻率，但會(huì)降低集電區(qū)的擊穿電壓；（5）降低，如降低發(fā)射結(jié)面積；（6）降低，如降低和等2、熱平衡時(shí)突變PN結(jié)的能帶圖、電場(chǎng)分布，以及反向偏置后的能帶圖和相應(yīng)的IV特性曲線。（上題中已經(jīng)回答，此處略）1純凈半導(dǎo)體