《微電子器件原理》復(fù)習(xí)題

1、考試時(shí)間：考試時(shí)間：(第十周周二第十周周二6868節(jié))考試地點(diǎn)：待定考試地點(diǎn)：待定《微電子器件原理》復(fù)習(xí)題及部分答案《微電子器件原理》復(fù)習(xí)題及部分答案一、填空1、PN結(jié)電容可分為擴(kuò)散電容和過渡區(qū)電容兩種，它們之間的主要區(qū)別在于擴(kuò)散電容產(chǎn)生于過渡區(qū)外的一個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度范圍內(nèi)，其機(jī)理為少子的充放電，而過渡區(qū)電容產(chǎn)生于空間電荷區(qū)，其機(jī)理為多子的注入和耗盡。2、當(dāng)MOSFET器件尺寸縮小時(shí)會(huì)對(duì)其閾值電壓VT產(chǎn)生影響，具體地，對(duì)于短溝道器件對(duì)VT的影

2、響為下降，對(duì)于窄溝道器件對(duì)VT的影響為上升。3、在NPN型BJT中其集電極電流IC受VBE電壓控制，其基極電流IB受VBE電壓控制。4、硅絕緣體SOI器件可用標(biāo)準(zhǔn)的MOS工藝制備，該類器件顯著的優(yōu)點(diǎn)是寄生參數(shù)小，響應(yīng)速度快等。5、PN結(jié)擊穿的機(jī)制主要有雪崩擊穿、齊納擊穿、熱擊穿等等幾種，其中發(fā)生雪崩擊穿的條件為VB6Egq。6、當(dāng)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)之后，漏電流發(fā)生不飽和現(xiàn)象，其中主要的原因有溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，漏溝靜電反饋效應(yīng)和空間電

3、荷限制效應(yīng)。二、簡(jiǎn)述答案：N型區(qū)中的電子在外加電壓的作用下向邊界Xn漂移越過空間電荷區(qū)在邊界Xp形成非平衡少子分布注入到P區(qū)的少子然后向體內(nèi)擴(kuò)散形成電子擴(kuò)散電流在擴(kuò)散過程中電子與對(duì)面漂移過來的空穴不斷復(fù)合結(jié)果電子擴(kuò)散電流不斷轉(zhuǎn)為空穴漂移電流.空穴從P區(qū)向N區(qū)運(yùn)動(dòng)也類同.6、太陽電池和光電二極管的主要異同點(diǎn)有哪些？答案：相同點(diǎn)：都是應(yīng)用光生伏打效應(yīng)工作的器件。不同點(diǎn)：a、太陽電池是把太陽能轉(zhuǎn)換成光能的器件，光電二極管的主要作用是探測(cè)光信號(hào)

4、；b、太陽電池有漏電流大，結(jié)電容較大，線性區(qū)和動(dòng)態(tài)范圍較窄等。而光電二極管漏電流小，響應(yīng)速度快，線性好和動(dòng)態(tài)范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。c、二種器件的光譜相應(yīng)也不相同，太陽電池的光譜相應(yīng)應(yīng)與太陽的光譜功率分布相匹配，而光電二極管的光譜相應(yīng)則應(yīng)與被探測(cè)的輻射的光譜功率分布相匹配。7、簡(jiǎn)述肖特基二極管與PN結(jié)二極管有何不同？答案：1，SBD是多子工作的器件（應(yīng)用于高度開關(guān)，影響高頻特性）；PN結(jié)是少子工作的器件。2，兩者勢(shì)壘高度相同。在相同的電流條件下，

5、SBD的電壓低得多。3，SBD工作速度比PN結(jié)快，因?yàn)镻N結(jié)有存儲(chǔ)效應(yīng)。4，二者溫度效應(yīng)不同，PN結(jié)正向溫度比SBD高0.4mv℃。8、簡(jiǎn)述JFET與雙極型晶體管，二者有何不同？答案：雙極型三極管場(chǎng)效應(yīng)三極管結(jié)構(gòu)NPN型N溝道P溝道PNP載流子多子擴(kuò)散少子漂移多子漂移輸入量電流輸入電壓輸入控制電流控制電流源電壓控制電流源噪聲較大較小溫度特性受溫度影響較大較小，可有零溫度系數(shù)點(diǎn)輸入電阻幾十到幾千歐姆幾兆歐姆以上靜電影響不受靜電影響易受靜電