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文檔簡介
1、1.1.請描述晶圓的主要晶向和類型，畫出主切變與副切邊的關(guān)系示請描述晶圓的主要晶向和類型，畫出主切變與副切邊的關(guān)系示意圖，并指出意圖，并指出BipolarBipolar和CMOSCMOS最常用的晶圓類型。最常用的晶圓類型。(5(5分)答：（a）P型（b）N型（c）P型（d）N型Bipolar主要采用晶圓，而CMOS主要采用P型晶圓。2.2.請將常用請將常用ICIC制造工藝歸納為四大基本工藝，并指出各包含具體制造工藝歸納為四大基本工藝，并
2、指出各包含具體工藝。工藝。（5分）分）答：（1）Adding：Dopinglayergrowthdeposition（2）Removing：EtchcleanCMP（3）Patterning：photolithography（4）Heating：Annealingalloyingreflow（2）在Si表面鍍上一層非晶硅。（3）將硅晶片表面預(yù)先用Ar離子處理使之形成非晶層或用光掩模膠涂覆。5.5.請描述集成電路制造中的三種擴(kuò)散類型及各自
3、的特點(diǎn)，并畫出不請描述集成電路制造中的三種擴(kuò)散類型及各自的特點(diǎn)，并畫出不同擴(kuò)散方式對應(yīng)雜質(zhì)分布示意圖。同擴(kuò)散方式對應(yīng)雜質(zhì)分布示意圖。答：擴(kuò)散類型及特點(diǎn)如下：（1）恒定表面源擴(kuò)散：表面濃度一定下，擴(kuò)散時間越長，雜質(zhì)擴(kuò)散距離就越深，擴(kuò)散到硅片的雜質(zhì)數(shù)量就越多。（2）有限表面源擴(kuò)散：擴(kuò)散時間越長，雜質(zhì)擴(kuò)散得也就越深，表面濃度越低。擴(kuò)散時間相同時，擴(kuò)散溫度越高，雜質(zhì)擴(kuò)散越深。（3）兩步擴(kuò)散：包括預(yù)擴(kuò)散和再分布兩個過程，預(yù)擴(kuò)散為恒定表面源擴(kuò)散，而
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