科技綜述-發(fā)展現(xiàn)狀

1、一、一、科技綜述科技綜述1.軍用新技術(shù)的可靠性研究軍用新技術(shù)的可靠性研究1.多芯片組件（MCM）技術(shù)的可靠性研究MCM封裝技術(shù)能使多個(gè)IC芯片緊密地安裝在同一互連襯底上，具有小型化、輕量化、高性能、高可靠性和良好散熱器等優(yōu)點(diǎn)，能極大提高通訊設(shè)備、軍用、航天航空電子設(shè)備等電子產(chǎn)品的性能和可靠性。但如何有效利用MCM技術(shù)還需要不斷研究，尤其是用于航空航天等軍工領(lǐng)域的MCM必須通過(guò)一系列加速壽命試驗(yàn)，如防潮、放鹽霧、熱沖擊等。目前，MCM產(chǎn)品

2、的主要問(wèn)題是：MCM封裝技術(shù)、測(cè)試方法等。2.已知良好芯片（KGD）技術(shù)的可靠性研究KGD是指裸露或無(wú)封裝的IC具有和傳統(tǒng)封裝芯片相同的質(zhì)量或失效概率，是在所有裸芯片的應(yīng)用中，能夠減少費(fèi)用、縮短周期和提高產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵，可以解決芯片級(jí)老化和測(cè)試問(wèn)題。目前，KGD的需求量很大，各大半導(dǎo)體公司根據(jù)宇航用、軍用、工業(yè)用、商業(yè)用等不同市場(chǎng)需求，制定不同的KGD工藝流程，以最低成本來(lái)滿足最大的市場(chǎng)，不斷提高次技術(shù)。3.微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）

3、的可靠性研究后面第三個(gè)有介紹。后面第三個(gè)有介紹。參考資料：肖虹，田宇，蔡少英，劉涌.國(guó)外軍用電子元器件可靠性技術(shù)研究進(jìn)展.技術(shù)信息與研究標(biāo)準(zhǔn)化2.三維集成技術(shù)的可靠性研究三維集成技術(shù)的可靠性研究集成電路封裝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)之一近年來(lái)集成電路工藝技術(shù)展迅速但集成電路封裝發(fā)展相對(duì)滯后一定程度上已經(jīng)制約了集成電路性能的進(jìn)一步提高。3DIC是一種系統(tǒng)級(jí)構(gòu)架的新方法，內(nèi)部含有多個(gè)平方器件的疊層，并經(jīng)由穿透硅通孔（TSV）在垂直方向?qū)崿F(xiàn)相

4、互連接。采用這種方式可以大幅縮小芯片尺寸，提高芯片的晶體管密度，改善層間電氣互聯(lián)性能，提升芯片運(yùn)行速度，降低芯片功耗。在設(shè)計(jì)階段導(dǎo)入3DIC，可以將MEMS、RF、logic、Memy、SensCOMS、Flash、光器件等不同器件整合在一起，實(shí)現(xiàn)一個(gè)三維立體結(jié)構(gòu)的新路途。(1)產(chǎn)品化快速發(fā)展目前，3DIC芯片具有體積小、集成度高、功耗及成本低，有利實(shí)現(xiàn)功能多樣化的特點(diǎn)，符合當(dāng)前數(shù)字電子產(chǎn)品輕薄短小發(fā)展趨勢(shì)，近年來(lái)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程加快。目前基

5、于TSV技術(shù)已經(jīng)在微機(jī)電（MEMS）和影像傳感器（CMOS）等產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)中廣泛應(yīng)用。預(yù)測(cè)在未來(lái)3年內(nèi)3DIC技術(shù)產(chǎn)業(yè)化將全面展開(kāi)。從DSP、NFlash、DRAM和通訊IC產(chǎn)品領(lǐng)域到繪圖芯片、多核處理器、功率放大器、FPGA芯片產(chǎn)品領(lǐng)域，逐步到邏輯組件、模擬組件、射頻等堆疊構(gòu)成的功能系統(tǒng)芯片發(fā)展。全球TSV技術(shù)的芯片市場(chǎng)規(guī)模可能到2013年1多種硅硅，玻璃硅，玻璃玻璃貼合方法2化學(xué)傳感器上制作微型Si3N4帽(2)單芯片封裝1板上

6、芯片法2預(yù)成型封裝技術(shù)(3)多芯片模塊和微系統(tǒng)1將現(xiàn)有的商用預(yù)成型塑料有線芯片（PLCC）載體封裝垂直疊加起來(lái)，用于安裝集成電路。2采用一個(gè)裝有電子器件的平臺(tái)芯片，用引線鍵合或倒裝芯片技術(shù)將傳感器或致動(dòng)芯片安裝起來(lái)。3在玻璃襯底上的凹槽安裝裸芯半導(dǎo)體研究所科研人員首次在國(guó)內(nèi)研制成功吹曲測(cè)試實(shí)驗(yàn)裝置，并同時(shí)研制成功MEMS器件機(jī)械性能可靠性測(cè)試平臺(tái)，這兩套裝置具有非接觸測(cè)量、對(duì)樣品沒(méi)有損害、簡(jiǎn)單、快速、準(zhǔn)確的特點(diǎn)?？蒲腥藛T利用該設(shè)備在非接

7、觸條件下探測(cè)薄膜材料的最小位移精度達(dá)到10納米，發(fā)展了承受雙軸應(yīng)力膜片(membrane)的綜合平面應(yīng)變理論模型，將吹曲測(cè)試擴(kuò)展到了膜片的斷裂點(diǎn)，這一綜合的理論模型能用于計(jì)算任何薄膜的殘余應(yīng)力、楊氏模量和斷裂應(yīng)力，包括某些必須制備多層復(fù)合膜片的材料。這一平臺(tái)的建立填補(bǔ)了我國(guó)在微納尺度薄膜與器件的機(jī)械性能可靠性研究方面的空白，另外，與德國(guó)Freiburg大學(xué)微技術(shù)研究所的合作也取得了良好的進(jìn)展。參考資料：[1]劉芳.微機(jī)電系統(tǒng)可靠性關(guān)鍵問(wèn)

8、題研究[2]微機(jī)電系統(tǒng)機(jī)械性能可靠性研究取得最新進(jìn)展[3]李秀清.MEMS封裝技術(shù)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)二、二、翻譯翻譯1.全球微機(jī)電系統(tǒng)（全球微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）設(shè)備行業(yè)）設(shè)備行業(yè)這份報(bào)告分析了微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)設(shè)備成百上千萬(wàn)美元的全球市場(chǎng)主要有以下產(chǎn)品類別:加速計(jì)陀螺儀噴墨頭晶圓探針和光學(xué)MEMS、壓力傳感器等其他產(chǎn)品。該文也分析了其用途包括商業(yè)工業(yè)、醫(yī)學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、通訊、電腦等其他方向。同時(shí)對(duì)美國(guó)、加拿大、日本、歐洲、亞太地區(qū)、拉