電工學(xué)2每章檢測(cè)題習(xí)題解析

1、1第6章檢測(cè)題檢測(cè)題（共100分，120分鐘）一、填空題：一、填空題：（每空0.5分，共25分）1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子，少數(shù)載流子為空穴，不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴，少數(shù)載流子為自由電子，不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由基區(qū)、發(fā)射區(qū)、集電區(qū)及發(fā)射結(jié)和集電結(jié)組成的。三極

2、管對(duì)外引出電極分別是基極、發(fā)射極和集電極。3、PN結(jié)正向偏置時(shí)，外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)的方向相反，有利于多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而不利于少子的漂移；PN結(jié)反向偏置時(shí)，外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)的方向相同，有利于少子的漂移運(yùn)動(dòng)而不利于多子的擴(kuò)散，這種情況下的電流稱為反向飽和電流。4、PN結(jié)形成的過(guò)程中，P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子空穴向N區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散，N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子自由電子向P區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散。擴(kuò)散的結(jié)果使它們的交界處建立起一個(gè)空間電荷區(qū)，其方向由N區(qū)

3、指向P區(qū)。空間電荷區(qū)的建立，對(duì)多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)起削弱作用，對(duì)少子的漂移運(yùn)動(dòng)起增強(qiáng)作用，當(dāng)這兩種運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，PN結(jié)形成。5、檢測(cè)二極管極性時(shí)，需用萬(wàn)用表歐姆擋的R1K檔位，當(dāng)檢測(cè)時(shí)表針偏轉(zhuǎn)度較大時(shí)，則紅表棒接觸的電極是二極管的陰極；黑表棒接觸的電極是二極管的陽(yáng)極。檢測(cè)二極管好壞時(shí)，兩表棒位置調(diào)換前后萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)都很大時(shí)，說(shuō)明二極管已經(jīng)被擊穿損壞；兩表棒位置調(diào)換前后萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)都很小時(shí)，說(shuō)明該二極管已經(jīng)絕緣老化不通。6、單極

4、型晶體管又稱為MOS管。其導(dǎo)電溝道分有N溝道和P溝道。7、穩(wěn)壓管是一種特殊物質(zhì)制造的面接觸型硅晶體二極管，正常工作應(yīng)在特性曲線的反向擊穿區(qū)。8、MOS管在不使用時(shí)應(yīng)避免柵極懸空，務(wù)必將各電極短接。二、判斷正誤：二、判斷正誤：（每小題1分，共10分）1、P型半導(dǎo)體中不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電，說(shuō)明P型半導(dǎo)體呈負(fù)電性。（錯(cuò)）2、自由電子載流子填補(bǔ)空穴的“復(fù)合”運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生空穴載流子。（錯(cuò)）3、用萬(wàn)用表測(cè)試晶體管時(shí)，選擇歐姆檔R10K檔位。（錯(cuò)）3

5、四、簡(jiǎn)述題：四、簡(jiǎn)述題：（每小題4分，共28分）1、N型半導(dǎo)體中的多子是帶負(fù)電的自由電子載流子，P型半導(dǎo)體中的多子是帶正電的空穴載流子，因此說(shuō)N型半導(dǎo)體帶負(fù)電，P型半導(dǎo)體帶正電。上述說(shuō)法對(duì)嗎？為什么？答：這種說(shuō)法是錯(cuò)誤的。因?yàn)?，晶體在摻入雜質(zhì)后，只是共價(jià)鍵上多出了電子或少了電子，從而獲得了N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體，但整塊晶體中既沒(méi)有失電子也沒(méi)有得電子，所以仍呈電中性。2、某人用測(cè)電位的方法測(cè)出晶體管三個(gè)管腳的對(duì)地電位分別為管腳①12V、管

6、腳②3V、管腳③3.7V，試判斷管子的類型以及各管腳所屬電極。答：管腳③和管腳②電壓相差0.7V，顯然一個(gè)硅管，是基極，一個(gè)是發(fā)射極，而管腳①比管腳②和③的電位都高，所以一定是一個(gè)NPN型硅管。再根據(jù)管子在放大時(shí)的原則可判斷出管腳②是發(fā)射極，管腳③是基極，管腳①是集電極。3、圖623所示電路中，已知E=5V，V，二極管為理想元件（即認(rèn)tu?sin10i?為正向?qū)〞r(shí)電阻R=0，反向阻斷時(shí)電阻R=∞），試畫(huà)出u0的波形。答：分析：根據(jù)電路

7、可知，當(dāng)uiE時(shí)，二極管導(dǎo)通u0=ui，當(dāng)uiE時(shí)，二極管截止時(shí)，u0=E。所以u(píng)0的波形圖如下圖所示：4、半導(dǎo)體和金屬導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有什么不同？單極型和雙極型晶體管的導(dǎo)電情況又有何不同？答：金屬導(dǎo)體中只有自由電子一種載流子參與導(dǎo)電，而半導(dǎo)體中則存在空穴載流子和自由電子兩種載流子，它們同時(shí)參與導(dǎo)電，這就是金屬導(dǎo)體和半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)理上的本質(zhì)不同點(diǎn)。單極型晶體管內(nèi)部只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此和雙極型晶體管中同時(shí)有兩種載流子參與導(dǎo)電也是不同的