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文檔簡介
1、150電力電子技術試題填空電力電子技術試題填空0000002、電子技術包括__信息電子技術__和電力電子技術兩大分支,通常所說的模擬電子技術和數(shù)字電子技術就屬于前者。0000001、電力變換通??煞譃椋航涣髯冎绷?、直流變直流、直流變交流和交流變交流。0000002、為減少自身損耗,提高效率,電力電子器件一般都工作在___開關__狀態(tài)。當器件的工作頻率較高時,___開關__損耗會成為主要的損耗。0000001、電力變換通常分為四大類,即交
2、流變直流、直流變直流、直流變交流、交流變交流。0100004、過電壓產(chǎn)生的原因操作過電壓、雷擊過電壓,可采取RC過電壓抑制電路、壓敏電阻等措施進行保護。0100002、請在空格內(nèi)標出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關斷晶閘管GTO;功率場效應晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復合管。0100004、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是觸發(fā)脈沖的寬度應保證晶閘管可靠導通、觸發(fā)脈沖應有足夠的幅度、觸發(fā)脈
3、沖應不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額和應有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離。(可作簡答題)0100003、多個晶閘管相并聯(lián)時必須考慮均流的問題,解決的方法是挑選特性參數(shù)盡量一致的器件和采用均流電抗器。0100004、抑制過電壓的方法之一是用電容吸收可能產(chǎn)生過電壓的能量,并用電阻將其消耗。0100001、型號為KP1008的晶閘管表示其額定電壓為800伏、額定有效電流為100安。0100003、在電力晶閘管電路中,常
4、用的過電壓保護有避雷器;RC過電壓抑制電路阻容吸收;硒堆;壓敏電阻等幾種。(寫出2種即可)0100001、目前常用的具有自關斷能力的電力電子元件有GTR、GTO、MOSFET、IGBT幾種。0100003、普通晶閘管的圖形符號是,三個電極分別是陽極A,陰極K和門極G晶閘管的導通條件是晶閘管承受正相陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)。350通態(tài)電流下降到剛好能保持導通所必須的最小陽極電流。0100001、普通晶閘管內(nèi)部有PN結(jié),外部有
5、三個電極,分別是極極和極。1、兩個、陽極A、陰極K、門極G。0100001、晶閘管在其陽極與陰極之間加上電壓的同時,門極上加上電壓,晶閘管就導通。2、正向、觸發(fā)。0100001、晶閘管的工作狀態(tài)有正向狀態(tài),正向狀態(tài)和反向狀態(tài)。3、阻斷、導通、阻斷。0100002、某半導體器件的型號為KP50KP50—7的,其中KPKP表示該器件的名稱為,50表示,7表示。4、普通晶閘管、額定電流50A、額定電壓700V。0100001、只有當陽極電流小
6、于電流時,晶閘管才會由導通轉(zhuǎn)為截止。5、維持電流。0100003、在晶閘管兩端并聯(lián)的RC回路是用來防止損壞晶閘管的。15、(關斷)過電壓。0100002、GTOGTO的全稱是,圖形符號為;GTRGTR的全稱是,圖形符號為;PMOSFET的全稱是,圖形符號為;IGBTIGBT的全稱是,圖形符號為。33、門極可關斷晶閘管、大功率晶體管、功率場效應管、絕緣柵雙極型晶體管。0100003、GTOGTO的關斷是靠門極加出現(xiàn)門極來實現(xiàn)的。33、負脈
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