LED襯底及外延專利分散測量與對策研究.pdf

1、在當今能源緊缺的大環(huán)境下,LED以其低能耗的優(yōu)越性逐漸成為背光顯示以及照明產(chǎn)業(yè)的主力軍。襯底及外延制作作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的基石,直接決定LED芯片的制造路線,對該技術(shù)的掌握與否,關(guān)系到生產(chǎn)制造LED產(chǎn)品的造價和規(guī)模。在開放式創(chuàng)新模式下,技術(shù)創(chuàng)新已成為LED襯底及外延制造企業(yè)發(fā)展的必經(jīng)之路。同時,LED技術(shù)快速更新?lián)Q代,專利競賽等導(dǎo)致大量的專利叢林問題,從而可能出現(xiàn)專利分散現(xiàn)象。因此,對LED專利的分散度進行測量,提出我國政府和企業(yè)可選擇

2、的專利戰(zhàn)略建議,對于促進我國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。
　　本文旨在探討LED襯底及外延專利的分散情況,并對出現(xiàn)這種分散性分布的原因進行分析,借此對我國LED企業(yè)的發(fā)展提供專利信息支持和方向參考。通過對LED產(chǎn)業(yè)的整體把握,重點研究襯底及外延技術(shù),結(jié)合LED產(chǎn)業(yè)專利現(xiàn)狀,利用吉布斯-馬丁的專利分散度測量指數(shù)以及方差理論對襯底及外延專利進行分散度測量。通過對LED襯底及外延生長技術(shù)的專利檢索,再利用吉布斯-馬丁的專利分散度測量指數(shù)