發(fā)射光譜研究多針對板電暈放電微觀電參數(shù)及激發(fā)態(tài)OH自由基特性.pdf

1、針-板式直流電暈放電具有能耗低，對低濃度污染物去除效率高等特點。但目前針對電暈放電電離區(qū)與遷移區(qū)內(nèi)電流密度與電場分布的估算、自由基等活性物種特性等微觀特性方面的研究還不多見。
　　 本實驗用光學(xué)發(fā)射光譜(OES)診斷多針對板直流電暈放電電離區(qū)N2第二正帶躍遷。通過對電離區(qū)內(nèi)空間各點ISPB的檢測，確定ISPB空間分布，分析電離區(qū)微觀放電特性。利用泊松方程對多針對板直流電暈放電電場分布和電流密度進行理論分析。結(jié)合ISPB空間分布，

2、分析電離區(qū)微觀特性及其與宏觀電參數(shù)的對應(yīng)關(guān)系。然后，對OH進行檢測，研究負電暈放電電參數(shù)(包括放電電壓、放電電流、放電功率、電極間距)和相對濕度對OH特性的影響。確定宏觀參數(shù)與OH微觀特性之間的關(guān)系。利用正電暈流光階段OH空間分布的數(shù)據(jù)，擬合出OH的空間分布，確定了流光放電間隙OH分布特性。得到的結(jié)論有：
　　 正輝光放電電離區(qū)ISPB先增大后減小。從電離區(qū)中層到外層，ISPB反應(yīng)高能電子密度分布，逐漸減小。負輝光放電ISPB分

3、布與正電暈一致；根據(jù)泊松方程求得放電區(qū)電場強度與電流密度的表達式。電離區(qū)電場強度隨距離r先增大再減小。實驗中ISPB最大值處與理論推導(dǎo)的電場強度最大值較一致：電離區(qū)電流密度沿針尖軸向呈減小趨勢，并與ISPB在電離區(qū)中層和外層呈良好的線性關(guān)系。電離區(qū)外層離子遷移對電流形成起一定作用；遷移區(qū)內(nèi)，電流強度與原點的距離無關(guān)。
　　 負電暈輝光放電，OH隨電壓和電流的升高而增加。單位功率OH隨總功率增大而減??；電離區(qū)內(nèi)OH沿針尖軸向先增大