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1、1半導(dǎo)體物理習(xí)題解答1-1(P32)設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價(jià)帶極大值附近能量Ev(k)分別為:Ec(k)=和Ev(k)=-;0223mkh022)1(mkkh?0226mkh0223mkhm0為電子慣性質(zhì)量,k1=12a;a=0.314nm。試求:①禁帶寬度;②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;③價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量;④價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化。[解]①禁帶寬度Eg根據(jù)=+=0;可求出對應(yīng)導(dǎo)帶能量極小值Em
2、in的k值:dkkdEc)(0232mkh012)(2mkkh?kmin=,143k由題中EC式可得:Emin=EC(K)|k=kmin=;2104kmh由題中EV式可看出,對應(yīng)價(jià)帶能量極大值Emax的k值為:kmax=0;并且Emin=EV(k)|k=kmax=;∴Eg=Emin-Emax==02126mkh021212mkh20248amh==0.64eV112828227106.1)1014.3(101.948)1062.6(??
3、?????????②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量mn;∴mn=0202022382322mhmhmhdkEdC???022283mdkEdhC?③價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量m’,∴02226mhdkEdV??022261mdkEdhmVn???④準(zhǔn)動(dòng)量的改變量△k=(kminkmax)=[畢]hhahkh83431?1-2(P33)晶格常數(shù)為0.25nm的一維晶格,當(dāng)外加102Vm,107Vm的電場時(shí),試分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。[解]
4、設(shè)電場強(qiáng)度為E,∵F=h=qE(取絕對值)∴dt=dkdtdkqEh∴t==dk=代入數(shù)據(jù)得:?tdt0?aqEh210aqEh21319;T=77k;k0=1.381023;n0=1017;Nc=1.3651019cm3;[畢];==-16192231917200106.610365.12)]771038.12106.101.0exp(10[2)]2exp([?????????????NcTkEEcnNDD3-8(P82)利用題7所給
5、的Nc和Nv數(shù)值及Eg=0.67eV,求溫度為300k和500k時(shí),含施主濃度ND=51015cm3,受主濃度NA=2109cm3的鍺中電子及空穴濃度為多少?[解]1)T=300k時(shí),對于鍺:ND=51015cm3,NA=2109cm3:;3130211096.1)2exp()(?????cmTkEgNcNvni;159150105102105????????ADNNn;inn??0;1015213020107.7105)1096.1(
6、??????nnpi2)T=500k時(shí):;eVTTEgEg58132.023550050010774.47437.0)0()500(242?????????????查圖37(P61)可得:,屬于過渡區(qū),16102.2??in;162122010464.22]4)[()(???????iADADnNNNNn。1602010964.1p???nni(此題中,也可以用另外的方法得到ni:求得ni)[畢])2exp()(500300)(5003
7、00)(02123233002323300TkEgNcNvnNvNNcNikvkc??????;;3-11(P82)若鍺中雜質(zhì)電離能△ED=0.01eV,施主雜質(zhì)濃度分別為ND=1014cm3及1017cm3,計(jì)算(1)99%電離,(2)90%電離,(3)50%電離時(shí)溫度各為多少?[解]未電離雜質(zhì)占的百分比為:;DDDDNNcDTkETkENcND2_lnexp2_00=????求得:;116106.11038.101.019230??
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