內(nèi)存重要參數(shù)詳解(轉(zhuǎn)載).

1、內(nèi)存重要參數(shù)詳解(轉(zhuǎn)載)時序內(nèi)存的時序參數(shù)一般簡寫為2226111T的格式，分別代表CAStRCDtRPtRASCMD的值。2226111T中最后兩個時序參數(shù)，也就是tRAS和CMD(Comm縮寫)，是其中較復雜的時序參數(shù)。目前市場上對這兩個參數(shù)的認識有一些錯誤，因為部分內(nèi)存廠商直接用它們來代表內(nèi)存性能。CMDRateCommRate譯為“首命令延遲”，這個參數(shù)的含義是片選后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的行激活命令，單位是時鐘周期。片選是

2、指對行物理Bank的選擇(通過DIMM上CS片選信號進行)。如果系統(tǒng)指使用一條單面內(nèi)存，那就不存在片選的問題了，因為此時只有一個物理Bank。用更通俗的說法，CMDRate是一種芯片組意義上的延遲，它并不全由內(nèi)存決定，是由芯片組把虛擬地址解釋為物理地址。不難估計，高密度大容量的系統(tǒng)內(nèi)存的物理地址范圍更大，其CMD延遲肯定比只有單條內(nèi)存的系統(tǒng)大，即使是雙面單條。Intel對CMD這個問題就非常敏感，因此部分芯片組的內(nèi)存通道被限制到四個Ba

3、nk。這樣就可以比較放心地把CMDRate限定在1T，而不理用戶最多能安裝多少容量的內(nèi)存。宣揚CMDRate可以設為1T實際上多少也算是一種誤導性廣告，因為所有的無緩沖(unbuffered)內(nèi)存都應具有1T的CMDRate，最多支持四個Bank每條內(nèi)存通道，當然也不排除芯片組的局限性。tRAStRAS在內(nèi)存規(guī)范的解釋是ActivetoPregeDelay，行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求后到初始化RAS(行地址選通脈沖)真正開

4、始接受數(shù)據(jù)的間隔時間。這個參數(shù)看上去似乎很重要，其實不然。內(nèi)存訪問是一個動態(tài)的過程，有時內(nèi)存非常繁忙，但也有相對空閑的時候，雖然內(nèi)存訪問是連續(xù)不斷的。tRAS命令是訪問新數(shù)據(jù)的過程(例如打開一個新的程序)，但發(fā)生的不多。接下來幾個內(nèi)存時序參數(shù)分別為CAS延遲，tRCD，以及tRP，這些參數(shù)又是如何影響系統(tǒng)性能的呢？CAS意為列地址選通脈沖(ColumnAddressStrobe或者ColumnAddress)，CAS控制著從收到命令到執(zhí)

5、行命令的間隔時間，通常為2，2.5，3這個幾個時鐘周期。在整個內(nèi)存矩陣中，因為CAS按列地址管理物理地址，因此在穩(wěn)定的基礎上，這個非常重要的參數(shù)值越低越好。3、RIMMRIMM是Rambus公司生產(chǎn)的RDRAM內(nèi)存所采用的接口類型，RIMM內(nèi)存與DIMM的外型尺寸差不多，金手指同樣也是雙面的。RIMM有也184Pin的針腳，在金手指的中間部分有兩個靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位數(shù)據(jù)寬度，ECC版則都是18位寬。由于RDRAM