（設(shè)備技術(shù)性能指標(biāo)及參數(shù)、目的、用途、環(huán)境要求等）

1、（設(shè)備技術(shù)性能指標(biāo)及參數(shù)、目的、用途、環(huán)境要求等）1.設(shè)備用途設(shè)備用途1.1.可實(shí)現(xiàn)ITO、SiO2等氧化物薄膜和Al、Ti等金屬薄膜的濺射沉積。1.2.投標(biāo)廠家提供多種工藝調(diào)試和開發(fā)的服務(wù)。2.設(shè)備規(guī)格設(shè)備規(guī)格2.1.反應(yīng)腔體：反應(yīng)腔體：2.1.1.真空窗口，可觀察腔體內(nèi)部狀況。2.1.2.反應(yīng)腔體內(nèi)部包含防鍍襯板組。2.2.反應(yīng)腔體抽真空模塊：反應(yīng)腔體抽真空模塊：2.2.1.采用進(jìn)口渦輪分子泵（國際知名品牌例如：Ulvac、CTI、

2、Alcatel、Pfeiffer、Edwards等）或者進(jìn)口冷凝泵（國際知名品牌例如：Ulvac、CTI、Alcatel、Pfeiffer、Edwards等）。2.2.2.采用進(jìn)口干泵。（國際知名品牌例如：Edwards、Ulvac、Alcatel、Pfeiffer等）。2.2.3.25min內(nèi)，反應(yīng)腔體可從大氣抽真空至3E6Tr。2.2.4.本底真空：3E7Tr。2.2.5.配備自動壓力控制裝置(APC)。2.3.磁控濺射靶槍：磁控濺

3、射靶槍：2.3.1.進(jìn)口磁控濺射靶槍，靶材尺寸不小于3英寸，磁性靶槍1臺，非磁性靶槍1臺。（采用國際知名品牌例如：Angstron、AJA、US、HHV等）2.3.2.進(jìn)口非磁性靶槍2臺，靶材尺寸不小于3英寸。2.3.3.DCRF電源兼容設(shè)計(jì)，可針對不同材料進(jìn)行濺射沉積。2.3.4.可調(diào)整靶槍濺射距離。2.3.5.濺射靶槍具備獨(dú)立自動開關(guān)擋板裝置。2.3.6.靶槍具備獨(dú)立供氣功能。2.4.直流電源：直流電源：2.4.1.進(jìn)口直流電源1臺