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1、<p> 中文4137字,2980單詞,15800英文字符</p><p> 出處:Power Electronics, Electrical Drives, Automation and Motion (SPEEDAM), 2012 International Symposium on. IEEE, 2012: 93-98</p><p> 高效非變壓光電能量轉(zhuǎn)換器<
2、;/p><p> M. C. Poliseno, R. A. Mastromauro, M. Liserre, A. Dell’Aquila</p><p> 摘要:無(wú)變壓器的光電(PV)逆變器與通過(guò)一個(gè)提供電流隔離的變壓器連接到電網(wǎng)的逆變器相比具有更高的效率。然而,如果變壓器被省略,所產(chǎn)生的共模電壓通過(guò)光伏陣列的寄生電容極大地影響到地面的泄漏電流。因此,應(yīng)適當(dāng)設(shè)計(jì)兩個(gè)功率級(jí)和轉(zhuǎn)換器的調(diào)制
3、策略,旨在避免泄漏電流,同時(shí)保證由國(guó)家電網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)要求的高效率和無(wú)功功率處理能力。在本文中,對(duì)三單相無(wú)變壓器的逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行分析:高效可靠的逆變器概念轉(zhuǎn)換器(HERIC),最近出版的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)基于將降壓轉(zhuǎn)換器和最近修改的專(zhuān)利中性點(diǎn)鉗位變流器(NPC)在MOSFET的優(yōu)化使用結(jié)合在一起。模擬結(jié)果可用于顯示:電流波形,無(wú)功功率處理能力,效率和產(chǎn)生的共模電壓。</p><p> 索引詞:光電無(wú)變壓器轉(zhuǎn)換器,效率,泄漏電
4、流,共模電壓</p><p><b> 前言</b></p><p> 可再生能源,特別是光電(PV)起源由于其特定的價(jià)格在近年來(lái)發(fā)展迅速。</p><p> 全橋(FB)逆變器被PV的光伏并網(wǎng)應(yīng)用廣泛采用,但隨著對(duì)提高效率和降低制造成本需求導(dǎo)致了新的創(chuàng)新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生[1]。正如指出,增加效率的主要方法是淘汰變壓器。在這種情況下,由于沒(méi)有
5、電流隔離導(dǎo)致泄漏電流,這是由PV面板產(chǎn)生的與地面的電容耦合。因此,無(wú)變壓器的結(jié)構(gòu)需要更復(fù)雜的解決方案,通常產(chǎn)生新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以保持在控制范圍內(nèi)泄露電流和DC電流的注入,以符合安全問(wèn)題。本文的目的是比較分析一些新的PV無(wú)變壓器的轉(zhuǎn)換器的效果。在第二部分中描述三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它們的泄漏電流,接地電壓,效率和無(wú)功功率處理容量的模擬結(jié)果在第三部分描述。</p><p> 無(wú)變壓器的光電轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)</p>
6、<p> 在下面描述三種變流器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):第一種在生產(chǎn)光伏逆變器中效果最好,其他兩種是最近剛發(fā)表或注冊(cè)專(zhuān)利的新興拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。</p><p><b> HERIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)</b></p><p> 所謂的“高效可靠的逆變器概念”(HERIC),由Sunways的商業(yè)化的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),直接源于全橋轉(zhuǎn)換器,在其中一個(gè)旁路支路由兩個(gè)緊接的IGBTs電網(wǎng)頻率的操作
7、裝置被添加在AC側(cè)。HERIC的電路圖如圖一所示,Cin是直流連接電容器,Lfi和Lfg分別在轉(zhuǎn)換器和輸電網(wǎng)處的輸出濾波電感器,Cf濾波電容器。旁路分支有兩個(gè)重要功能:將光伏陣列與輸電網(wǎng)解耦連(用AC解耦連的方法),避免高頻電壓組分通過(guò),避免濾波電感器與Cin在零電壓狀態(tài)時(shí)的無(wú)功功率轉(zhuǎn)換,從而提高效率[2]。</p><p> 轉(zhuǎn)化器如下操作(見(jiàn)表I):在正半周期S +過(guò)程中保持連接,而S1和S4在開(kāi)關(guān)頻率時(shí)整
8、流以便產(chǎn)生活動(dòng)向量和零矢量。當(dāng)活動(dòng)向量出現(xiàn)時(shí)(S1和S4打開(kāi)),電流由PV面板流向輸電網(wǎng),相反,產(chǎn)生零向量時(shí),S1和S4閉合,電流流向S+和D-這就是單向狀態(tài)。另一方面,當(dāng)產(chǎn)生負(fù)電流時(shí),S+閉合,S-打開(kāi),但是S3和S2在切換頻率時(shí)整流。這就意味著當(dāng)S3和S2打開(kāi)時(shí),出現(xiàn)活動(dòng)向量,因此,電流由PV面板流向負(fù)載。當(dāng)S3和S2閉合時(shí),在負(fù)載中出現(xiàn)零電壓,電流流過(guò)S-和D+。</p><p> 當(dāng)提到經(jīng)典的全橋轉(zhuǎn)換器
9、,HERIC轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)了單極輸出電壓與整流的具有相同的頻率。而且,在光伏陣列的直流電終端沒(méi)有大的波動(dòng),因此,泄漏電流是極小的。</p><p> 在表I中列出的調(diào)整狀態(tài)不提供無(wú)功功率的處理能力,因?yàn)檫@種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)由S +的雙向開(kāi)關(guān)和S-不被控制,以被同時(shí)導(dǎo)通時(shí),因此電流只能在由當(dāng)前打開(kāi)ON開(kāi)關(guān)定義方向上流動(dòng)。修改逆變器的切換策略才可以將無(wú)功功率注入到電網(wǎng)[2]。</p><p> B.
10、Araujo拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)</p><p> 轉(zhuǎn)換器的操作基本原理稱(chēng)為“阿勞霍拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)”[3],它依賴(lài)于兩個(gè)并聯(lián)的降壓轉(zhuǎn)換器,調(diào)整整流正弦電流,運(yùn)用相反的極性連接到所述負(fù)載的輸出(圖2)。</p><p> 阿勞霍拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能的導(dǎo)電狀態(tài)在圖二中描述。兩個(gè)電路的負(fù)半波由高頻開(kāi)關(guān)參考正弦曲線(xiàn)調(diào)整S1,而S4仍然開(kāi)啟。當(dāng)S1失效以后,二極管D1提供電流的慣性滑行途徑,同時(shí),光伏陣列的能量?jī)?chǔ)存在直流
11、連接的電容器中。相似的,高頻開(kāi)關(guān)S2的正半波,S3被激活。慣性滑行通過(guò)D2產(chǎn)生。此外,D3和D4是二極管箝位器來(lái)保護(hù)位于輸電網(wǎng)側(cè)的開(kāi)關(guān)應(yīng)對(duì)可能的電壓瞬變。應(yīng)增加低頻開(kāi)關(guān)(等于30微秒@10 kHz的開(kāi)關(guān)頻率)信號(hào)之間的不工作區(qū),以避免電網(wǎng)短路。特別是,不像其他逆變器其中兩個(gè)濾波電感始終處于活動(dòng)狀態(tài),在這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,在關(guān)閉相應(yīng)的低頻之前電感開(kāi)關(guān)之前感應(yīng)器中電流必須等于零,使整個(gè)開(kāi)關(guān)不會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。</p><p>
12、; 第一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在每種條件下與一個(gè)高頻開(kāi)關(guān)(S1或S2)工作的可能性,顯著減小開(kāi)關(guān)損耗,而S3和S4電壓應(yīng)力等于電網(wǎng)電壓和僅在電網(wǎng)頻率操作,減少了傳導(dǎo)損失。由于光伏陣列的正極端子無(wú)論直接連接到正半波和到中立在負(fù)半波,與地面不存在高頻振蕩,因此避免漏電流。</p><p> 然而,用這種轉(zhuǎn)換器不能處理無(wú)功功率。</p><p> C. NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解耦MOSFETs</p>
13、;<p> 為了增加轉(zhuǎn)換器的效率,需要采用開(kāi)關(guān)損耗低,反并聯(lián)或穿過(guò)每個(gè)晶體管的恢復(fù)性能號(hào)的續(xù)流二極管。MOSFETs通??梢栽试S快速切換,但內(nèi)部的反并聯(lián)二極管體的恢復(fù)性能較差。這種二極管可以導(dǎo)電,即使當(dāng)前另一個(gè)電流路徑是可用的,諸如并行連接的續(xù)流二極管。當(dāng)一個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān)關(guān)掉時(shí),電流可以從MOSFET的傳輸通道進(jìn)入體二極管中,同時(shí),當(dāng)控制MOSFET接通,導(dǎo)通期間儲(chǔ)存在體內(nèi)二極管恢復(fù)電荷被清除。體二極管的突然反向恢復(fù)
14、會(huì)引起較高的開(kāi)關(guān)損耗和高頻振蕩,這對(duì)組件產(chǎn)生高應(yīng)力并產(chǎn)生噪聲和電磁干擾等有關(guān)問(wèn)題。為了彌補(bǔ)這種缺陷,使用的MOSFET逆變器傳統(tǒng)設(shè)計(jì)需要添加兩個(gè)系列和續(xù)流的超快速二極管。加入這些二極管顯著增加了逆變器設(shè)計(jì)的成本并增加了傳導(dǎo)損耗。由于這些原因當(dāng)逆變器在高于100至200 VDC電壓下工作時(shí),IGBT是一個(gè)更實(shí)際的選擇。IGBT通常比MOSFET開(kāi)關(guān)性能較差,但快速恢復(fù)時(shí)需要較少的二極管,因?yàn)閮?nèi)部存在的IGBT串聯(lián)二極管允許設(shè)計(jì)人員使用一個(gè)
15、二極管添加到慣性滑行路徑中。IGBTs的使用能夠降低設(shè)計(jì)成本但是當(dāng)高頻時(shí)降低轉(zhuǎn)換器的效率。</p><p> 此外,開(kāi)發(fā)可以處理無(wú)功功率的高效逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), MOSFET內(nèi)部的二極管在處理無(wú)功功率時(shí)會(huì)造成很高的反向恢復(fù)損失。</p><p> 因此,有必要提供一種逆變器的電源模塊有效地控制和減少M(fèi)OSFET中體二極管的影響。尤其是,尋求減少EMI不良效應(yīng)和由體二極管功率引起的損耗的方
16、法。</p><p> 在橋或中性點(diǎn)鉗位(NPC)的配置中禁用的成分,可包括一個(gè)旁路二極管,用于提供一種可替代的無(wú)功負(fù)載電流或?qū)OSFET從無(wú)功負(fù)載中解耦連的電感器傳導(dǎo)通路。當(dāng)通過(guò)電感器去耦MOSFET,同時(shí),對(duì)反向路徑中的旁路二極管也是有利的。</p><p> 基于這些原理的逆變器拓?fù)淙鐖D3所示。這就是所謂的“NPC逆變器解耦輸出和MOSFET所有開(kāi)關(guān)”??并且可達(dá)到的轉(zhuǎn)換效率最
17、高值[4]。本發(fā)明通過(guò)阻止流動(dòng)在逆變器的MOSFET的內(nèi)部體二極管電路的顯著電流最小化體二極管的影響。這就保證在每個(gè)切換循環(huán)中最低的體二極管反向恢復(fù)效應(yīng)。</p><p> 這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)自著名的NPC,因此與PWM方案十分相似,通過(guò)激活MOS1和MOS2,在輸電網(wǎng)處激活MOS3和MOS4而獲得三相輸出電壓。特別是,MOS1及MOS3在正半波期間打開(kāi),同時(shí)MOS2和MOS4在負(fù)半波和電流的反向流動(dòng)由四個(gè)二極管介
18、導(dǎo),分別是D1-D3和D2-D4(見(jiàn)表III)。此外,該無(wú)功功率由二極管D3和D4負(fù)責(zé),它們采用硅管以達(dá)到反向傳導(dǎo)的最高效率[5]。</p><p><b> 模擬結(jié)果</b></p><p> 為了將轉(zhuǎn)換器在泄漏電流,效率,無(wú)功功率的處理能力等方面的效果進(jìn)行比較,上述的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)由PLECS工具箱(在模擬環(huán)境中模擬電路)開(kāi)發(fā)的模擬實(shí)驗(yàn)的檢測(cè)。模擬參數(shù)在表IV中
19、。光電轉(zhuǎn)換器的模型在以下組成部分熱模型的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的:600V的TrenchStop IGBT,650V的CoolMOS?功率晶體管,600V的三代thinQ!TM碳化硅肖特基二極管和1200V的thinQ!TM碳化硅肖特基二極管。SiC二極管用于保證接近零的反向恢復(fù)電流,因?yàn)樗试S減少開(kāi)關(guān)損耗。</p><p> A.HERIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)</p><p> 引入HERIC逆變器是對(duì)
20、全橋的修正,運(yùn)用“交流去耦”技術(shù)以提供高效率和恒定的共模電壓。逆變器的輸出電壓具有三個(gè)水平與負(fù)載電流紋波,如圖4所示,雖然電流脈動(dòng)的頻率等于開(kāi)關(guān)頻率,是非常小的。</p><p> 如已經(jīng)提到的,HERIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不產(chǎn)生變化的共模電壓,在零電壓狀態(tài)下,逆變器的輸出發(fā)生短路時(shí)光電逆變器與輸電網(wǎng)斷開(kāi)。這種分離確保了共模電壓作用在光伏陣列的寄生電容不隨時(shí)間而改變,因此將通過(guò)光伏陣列的寄生電容而產(chǎn)生的泄漏電流維持在非常
21、低的值。如圖5所示,在直流連接的直流終端和地面之間只是正弦曲線(xiàn)形狀,因此其光譜不含有高頻內(nèi)容。</p><p> HERIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),顧名思義,在整個(gè)工作范圍內(nèi)具有非常高的轉(zhuǎn)換效率(表V),由于其雙向開(kāi)關(guān)由主頻率控制。</p><p> B. ARAUJO拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)</p><p> 阿勞霍逆變器具有很高效率(表Ⅵ)和低的開(kāi)關(guān)損耗,由于在其他電路中有限數(shù)量的半導(dǎo)
22、體組件,如HERIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。另外,在這種情況下,所獲得的輸出電壓具有三個(gè)水平,負(fù)載電流的紋波(圖6)大于HERIC逆變器,從而導(dǎo)致整個(gè)濾波器更高的損失。這種應(yīng)用的調(diào)制策略導(dǎo)致為了避免電網(wǎng)短路的低頻信號(hào)之間產(chǎn)生小的死角。如圖7和8所示,在關(guān)閉各自的低頻開(kāi)關(guān)之前并且無(wú)過(guò)電壓流經(jīng)開(kāi)關(guān)時(shí),經(jīng)過(guò)電感器的電流等于零(請(qǐng)考慮L1和L2分別代表上部和下部導(dǎo)線(xiàn))。由于光伏陣列到地面的電壓如圖9所示的波形,因此漏電流不會(huì)達(dá)到最高值。</p>
23、<p> C. NPC拓?fù)浜蚆OSFETs解耦輸出</p><p> 與以往使用IGBTs的逆變器相比,通過(guò)檢測(cè)證明NPC逆變器解耦輸出和MOSFETs所獲得的結(jié)果在很大程度上反映其優(yōu)異的性能。經(jīng)典的NPC逆變器允許到達(dá)很高效率,因?yàn)殚_(kāi)關(guān)損耗減少,外部開(kāi)關(guān)的額定電壓可降低到Vin/ 4和一條通路以較低的頻率控制[6]。NPC逆變器解耦輸出和MOSFET提高經(jīng)典N(xiāo)PC的性能,與無(wú)功功率處理能力相結(jié)合
24、。如圖VII所示,轉(zhuǎn)化效率達(dá)到最高值,在30%額定負(fù)載時(shí)高達(dá)99.13%。如圖10所示,負(fù)載電流具有比其他兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高次諧波失真。此外,如圖11所示,當(dāng)電壓VPE常數(shù)等于Vin/2時(shí),泄漏電流會(huì)很小。模擬結(jié)果與預(yù)期不是很符合,因?yàn)镻lecs沒(méi)有精確地將MOSFET內(nèi)部的二極管和它們差的恢復(fù)性能納入考慮。</p><p> 通過(guò)模擬“Altium Designer”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)得到了更好的預(yù)期結(jié)果:在這種情況下,
25、有必要使用Spice模型的每個(gè)電子部件。在這種模型中先進(jìn)的操作功能可以以參數(shù)設(shè)定。</p><p> 為了比較光伏逆變器z的整體效率,通過(guò)計(jì)算兩個(gè)加權(quán)值即European efficiency (μEU) 和 Californian efficiency (μCEC),</p><p> 其中μi%表示在其額定功率下逆變器效率的百分比[7]。不同的操作點(diǎn)檢測(cè)所有提到的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),可以通過(guò)
26、計(jì)算它們European and Californian效率,見(jiàn)表VIII。</p><p> 應(yīng)當(dāng)注意到,在制定未來(lái)國(guó)家電網(wǎng)準(zhǔn)則時(shí),無(wú)功功率處理能力可以成為其中一個(gè)最重要的參數(shù)。所有提及的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)除Araujo均符合這個(gè)特點(diǎn)如表VIII。</p><p> 數(shù)據(jù)12在不同功率級(jí)比較三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率。</p><p><b> 結(jié)論</b&g
27、t;</p><p> 在本文中,高效可靠的逆變器概念轉(zhuǎn)換器(HERIC)是最近剛發(fā)表的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它將降壓轉(zhuǎn)換器(ARAUJO拓?fù)洌┖妥罱?cè)專(zhuān)利的對(duì)MOSFET的使用優(yōu)化的中性點(diǎn)鉗位變流器(NPC)融合。在輸出共模電壓,效率和無(wú)功功率處理能力方面進(jìn)行討論和比較。HERIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)比阿勞霍拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在無(wú)變壓器的光伏應(yīng)用展示更高的效率和更低的泄漏電流。由于將MOSFETS代替IGBTs,NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的解耦聯(lián)輸出與
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