30347.chf3ar介質(zhì)阻擋放電等離子體中cf2基因數(shù)密度的光譜診斷研究_第1頁(yè)
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1、碩士學(xué)位論文CHFJAr介質(zhì)阻擋放電等離子體中CF2基團(tuán)數(shù)密度的光譜診斷研究SpectroscopyDiagnosticsofCF2RumberdensityinCHF3／ArDielectricBarrierDischargePlasma學(xué)號(hào)：21102012大連理工大學(xué)DalianUniversityofTechnology摘要本論文設(shè)計(jì)了用于診斷低氣壓CHF3／Ar介質(zhì)阻擋放電等離子體中CF2基團(tuán)粒子數(shù)密度的光譜測(cè)量裝置，并分別利

2、用吸收光譜法和發(fā)射光譜內(nèi)標(biāo)法對(duì)CHF3／At介質(zhì)阻擋放電等離子體中CF2基團(tuán)的粒子數(shù)密度進(jìn)行了測(cè)量，考察了放電功率、氣壓、電極間距以及CHF3濃度對(duì)CF2基團(tuán)粒子數(shù)密度的影響。同時(shí)也對(duì)在實(shí)驗(yàn)條件范圍內(nèi)，發(fā)射光譜內(nèi)標(biāo)法的適用性和可信性進(jìn)行了討論。主要得到以下結(jié)論：在氣壓260380Pa范圍內(nèi)，CF2的粒子數(shù)密度在CHF3濃度分別為20％／50％／65％時(shí)，都隨氣壓的升高而增大；在放電功率為518W范圍內(nèi)，CF2粒子數(shù)密度會(huì)隨放電功率的增大

3、而增大；在CHF3濃度為10％75％范圍內(nèi)，CF2粒子數(shù)密度隨CHF3濃度的增大而增大；在電極間距為48lnm范圍內(nèi)，吸收光譜法測(cè)得CF2粒子數(shù)密度隨電極間距的增大而降低，而由發(fā)射光譜內(nèi)標(biāo)法測(cè)得的CF2粒子數(shù)密度隨電極間距的增大而增大。在實(shí)驗(yàn)考查的條件范圍內(nèi)，在電極間距不變的情況下，利用吸收光譜法和發(fā)射光譜內(nèi)標(biāo)法測(cè)得的CF2基團(tuán)的粒子數(shù)密度隨氣壓、放電功率以及CHF3濃度的變化規(guī)律一致，是因?yàn)樵趯?shí)驗(yàn)考察的條件范圍內(nèi)，電子能量分布函數(shù)基本

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