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1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文0.18μm高壓DEMOS器件熱載流子所致襯底電流的研究姓名:劉博申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):軟件工程(集成電路)指導(dǎo)教師:程秀蘭20081201II電場(chǎng)的主要工藝方法,即利用多次摻雜與退火以降低漂移區(qū)表面濃度,以及漂移區(qū)斜角離子注入以使溝道耗盡結(jié)區(qū)濃度變緩;同時(shí),本文基于TCAD仿真模擬結(jié)果,還提出一種源柵組合場(chǎng)板結(jié)構(gòu),可進(jìn)一步降低漂移區(qū)表面電場(chǎng),尤其能大大降低漏端電場(chǎng)。關(guān)鍵詞:關(guān)鍵詞:高壓器件,擴(kuò)展漏端MOS器件
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