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1、首都師范大學(xué)碩士學(xué)位論文緩沖層對(duì)NiCo薄膜各向異性磁電阻的影響姓名:周麗萍申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專(zhuān)業(yè):光學(xué)指導(dǎo)教師:王艾玲20040401首都師范大學(xué)碩士學(xué)位論文(2)AbstractMaterialswithanisotropicmagesistance(AMR)canbeusedasthemagicsensswhichcanmeasurethemagicfields.ComparedwithothermagicsensssuchasH
2、allelementssemiconductmagesistanceelementstheAMRsensshaveadvantagesofhighsensitivitygoodtemperaturestabilitysmallvolume.TheNiCosoftalloyhaslargerAMRvaluethanthatofNiFe.itcanbeusedinthebroadrangeofmagicfieldsfitshighsatur
3、ationfield.SoinvestigationontheNiCofilmswillbehelpfultoextendtheapplicationofAMRsenss.TaNi1xCoxx?1317212631at%filmswithdifferentthicknesshavebeenpreparedbyusingDCmagronsputteringtheeffectoftheCocompositionontheAMRvalueof
4、Ni1xCoxfilmshasbeeninvestigated.TheresultsshowthattheAMRvalueofsamethicknessfilmsreachesamaximumvalueatx?26at%thendecreaseswithxincreases.XRDresultsshowsthatgood(111)ientationsexitinTaNi74Co26films.(Ni0.81Fe0.19)1xCrx45N
5、i74Co26x?2630343842at%filmshavebeenpreparedbyusingDCmagronsputteringtheeffectoftheCrcompositionontheAMRvalueofthefilmshasbeenstudied.TheresultsshowthattheAMRvalueofsamethicknessfilmsreachesamaximumvalueatx?34at%thendecre
6、aseswithxincreases.(Ni0.81Fe0.19)66Cr34xNi74Co26200filmshavealsobeenpreparedtheeffectof(Ni0.81Fe0.19)66Cr34bufferlayerthicknessontheAMRvalueofthefilmshasbeenstudied.TheresultsshowthattheAMRvalueofthefilmsreachesamaximumv
7、alueatx?60thendecreasesrapidlywithxincreases.Theuseofathin(Ni0.81Fe0.19)66Cr34bufferlayerfobtaininghighAMRinNi74Co26filmsisrepted.TheresultsshowthattheAMRvalueofthefilmsdepositedona45thick(Ni0.81Fe0.19)66Cr34bufferlayeri
8、slargerthanthatofthefilmsdepositedonTabufferlayer.Fexampleanenhancementof43%wasobservedf125Ni74Co26filmscomparedtothefilmswithTabufferlayer.XRDresultsshowthatthelatticeconstantofNi74Co26isveryclosetothatof(Ni0.81Fe0.19)6
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