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文檔簡介
1、本文以SnCl2·2H2O、NH4F和TEOS為原料,采用溶膠-凝膠法制備FTO/SiO2復(fù)合透明導電薄膜。通過對制備薄膜各參數(shù)工藝包括FTO及SiO2溶膠的配置、基體處理、涂層方式、熱處理等的實驗分析,利用XRD、UV-Vis以及方塊電阻測試儀等手段,以附著力測試、光電性能測試等為內(nèi)容,綜合探討了F摻雜濃度、熱處理溫度以及薄膜厚度等對薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌及光電性能的影響。實驗得出,SiO2溶膠的配置方案為:EtOH/TEOS/H2O
2、=4:2:1(volume ratio),PH=2-3。SnO2溶膠的配置方案為:SnO2濃度為0.4mol/L,H2O/SnCl2·2H2O=4(molratio),PH=2-3。
FTO/SiO2薄膜的性能優(yōu)于FTO薄膜,在相同情況下FTO/SiO2薄膜的電阻值小于FTO膜,這是因為SiO2薄膜可以適當阻隔基體中的Na+、ca+離子在薄膜熱處理時擴散進入FTO膜內(nèi),防止其禁帶內(nèi)形成受主能級,捕獲自由載流子,劣化薄膜導電
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