多芯片組件的擴展熱阻與熱耦合效應(yīng)研究.pdf

1、隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，多芯片組件技術(shù)以其體積小、組裝密度高、性能高、可靠性高等特點成為了當(dāng)前電子產(chǎn)品領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點。與此同時，產(chǎn)品的功能不斷增加，單位體積的功耗越來越大，設(shè)備內(nèi)部的熱流密度日益增高，最終導(dǎo)致電子元件溫度過高，嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的可靠性，散熱已經(jīng)成為電子設(shè)備應(yīng)用中必不可少的一項任務(wù)。本文通過理論、仿真、實驗三者相結(jié)合的分析方法開展了以下工作：
　　首先，以單芯片組件的擴展熱阻為研究對象，對比分析各種相關(guān)計算理論的

2、特點；針對簡單矩形熱源模型，基于理論計算與FLOEFD仿真分析對比，驗證仿真計算的正確性；在此基礎(chǔ)上，研究擴展熱阻與模型各影響參數(shù)之間的變化規(guī)律，并利用響應(yīng)曲面法得到擴展熱阻關(guān)于各因素的響應(yīng)模型，為進(jìn)一步改善電子產(chǎn)品的散熱性能提供方案參考。
　　其次，針對多芯片組件的熱耦合效應(yīng)，通過建立熱阻網(wǎng)絡(luò)模型和熱阻矩陣兩種方法分別理論計算兩芯片組件和四芯片組件的溫度，并與FLOEFD仿真值進(jìn)行對比，驗證仿真計算的正確性；然后通過仿真分析研究