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1、本文主要介紹了一種用于 DC/DC升壓變換的控制器的設(shè)計(jì)。利用HSPICE仿真工具、Cadence集成電路設(shè)計(jì)環(huán)境、采用上華DPDM0.6um CMOS工藝,根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的要求完成了對(duì)控制器芯片原理及版圖的設(shè)計(jì),并通過(guò)流片得到了最終的芯片。
該芯片具有如下基本特性:輸入電壓的范圍為3.0V~5.0V,輸出可以在輸入電壓到10V之間進(jìn)行調(diào)節(jié);采取電流模式的控制方式,具有內(nèi)部斜坡補(bǔ)償電路;開關(guān)頻率設(shè)計(jì)為500KHz,允許選用小的表
2、面陶瓷電容,可節(jié)省板級(jí)面積;采用前沿消隱電路(LEB),無(wú)須外加低通濾波網(wǎng)絡(luò)對(duì)檢測(cè)的電流進(jìn)行處理;具有內(nèi)部軟啟動(dòng)功能,防止啟動(dòng)瞬間的浪涌電流;環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)外接,增加了靈活性。
文中首先分析了電流模式 DC/DC升壓系統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、基本原理和關(guān)鍵技術(shù),根據(jù)這些理論完成芯片整體框架的設(shè)計(jì)。然后對(duì)芯片內(nèi)部的帶隙基準(zhǔn)源、振蕩器、誤差放大器、軟啟動(dòng)模塊、斜坡補(bǔ)償模塊、PWM比較器、邏輯控制模塊、功率管驅(qū)動(dòng)模塊等子模塊進(jìn)行了分析并給出了仿
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