2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,IC特征尺寸不斷縮小,硅片尺寸不斷增大,IC工藝變得越來越復(fù)雜和精細(xì)。這對芯片內(nèi)部層間介質(zhì)的表面質(zhì)量提出了更高的要求,要求介質(zhì)層表面必須進(jìn)行全局平坦化,而傳統(tǒng)的拋光工藝已不能滿足要求?;瘜W(xué)機(jī)械拋光(CMP)是目前唯一能夠?qū)崿F(xiàn)芯片全局平面化的實(shí)用技術(shù)和核心技術(shù),正廣泛地應(yīng)用于IC制造中。然而,由于其工藝的復(fù)雜性,人們對CMP機(jī)理以及拋光液的作用仍缺乏深入的認(rèn)識,許多方面還需要進(jìn)行深入地研究。在CMP過程

2、中,拋光液對被加工表面具有化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的雙重作用,對拋光效果產(chǎn)生重要影響,但目前仍存在諸如金屬離子污染、分散性差、材料去除率低等問題。 本論文以二氧化硅介質(zhì)層CMP拋光液配方為研究方向,在介紹、分析拋光液的材料去除原理和特點(diǎn)以及總結(jié)前人研究成果的基礎(chǔ)上,以提高拋光液的材料去除率、降低拋光液中金屬離子含量和改善拋光液分散性為目標(biāo),進(jìn)行了拋光液配方選擇和優(yōu)化方面的理論和試驗(yàn)研究,找到了較好的拋光液成分和配方,研制出了性能良好的

3、拋光液。 本文首先通過對拋光機(jī)理的研究,找到了影響拋光質(zhì)量的主要因素,并針對這些因素制定了拋光液成分選擇和配方優(yōu)化的試驗(yàn)方案。然后,討論了拋光液各成分的作用原理,以UNIPOL1502型研磨拋光機(jī)為試驗(yàn)平臺,進(jìn)行了拋光液成分選擇的單因素試驗(yàn),通過試驗(yàn)選出了較適合二氧化硅介質(zhì)層拋光的無機(jī)堿、有機(jī)堿、納米磨料、表面活性劑以及添加劑等主要成分。接著,以單因素試驗(yàn)選出的主要成分為基礎(chǔ),又進(jìn)行了配方優(yōu)化和pH值性能優(yōu)化試驗(yàn),研究了拋光液各

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