極紫外光刻掩模熱變形及其對光刻性能的影響.pdf

1、極紫外光刻是實現45nm及其以下節(jié)點的主要候選技術之一，隨著圖形特征尺寸逐漸減小，曝光過程中掩模熱變形對光刻性能的影響越來越嚴重。因此，全面分析曝光過程中掩模熱變形并研究其對光刻性能的影響是非常有意義的。本文針對產量為81片/小時的極紫外光刻系統(tǒng)，使用有限元方法建立模型，全面分析不同條件下掩模熱變形，并研究掩模熱變形對光刻膠圖形的影響。具體工作分為兩部分。 首先研究極紫外光刻曝光過程中掩模熱變形。掩模約在工作500~600s內溫

2、度以及變形分布達到穩(wěn)態(tài)，達到穩(wěn)態(tài)后處于振蕩平衡狀態(tài)。分析了基底材料分別使用ULE玻璃和石英玻璃時，掩模與卡盤間接觸熱傳導系數、掩模圖形密度以及掩模與卡盤間摩擦力對掩模熱變形的影響。增大掩模與卡盤間接觸熱傳導系數、分散布置吸收極紫外光比率大的圖形模塊、控制和利用掩模與卡盤間摩擦力，可使得掩模熱變形達到最小。 其次，利用有限元計算結果，分析掩模熱變形對光刻性能的影響。對于密集線條、半密集線條和孤立線條，掩模熱變形引起的光刻膠圖形CD