磁性自旋閥磁化翻轉的微磁模擬.pdf

1、磁性多層膜結構中的巨磁電阻效應(GMR)已被廣泛應用到信息存儲、磁性傳感器、微波激發(fā)等領域。特別是新近在納米GMR小器件中發(fā)現(xiàn)的自旋傳輸矩效應，打破了傳統(tǒng)方法采用的用磁場來改變或翻轉薄膜材料的磁化方向的方法，丌創(chuàng)性地采用自旋極化電流直接實現(xiàn)磁矩反轉或激發(fā)自旋波。本論文主要完成了兩個研究工作，具體如下： 在第三章中，基于Landau-Lifshitz-Gilbert方程，通過采用微磁模擬技術，我們研究了垂直極化的磁性自旋閥三明治納

2、米柱結構中，自旋極化電流所激發(fā)的自旋波特性。發(fā)現(xiàn)在小電流下，自旋閥自由層沿平面方向的磁化強度有兩個共存穩(wěn)態(tài)；隨著電流的增大，出現(xiàn)周期性振蕩的自旋波，其頻率隨極化電流的增大可達到幾十GH<,z>，并且出現(xiàn)臺階式的增長趨勢；同時發(fā)現(xiàn)所激發(fā)的自旋波的頻率的功率譜出現(xiàn)了奇倍頻現(xiàn)象；隨著自由層厚度的增加，自旋波頻率減小。再繼續(xù)增大電流，會激發(fā)一種具有混沌行為的自旋波。 在第四章中，我們研究和設計了一種高磁場用的磁電阻傳感器。該傳感器的釘扎