版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、江西師范大學(xué)碩士學(xué)位論文半導(dǎo)體納米點(diǎn)鑲嵌在不同介電基體中的制備及發(fā)光特性的研究姓名：吳閏生申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：光學(xué)指導(dǎo)教師：袁彩雷20090501AbstractTheGenanocrystalsembeddedinamorphousSi02andhigh—KdielectricmaterialLu203matriceswerefabricatedsuccessfullyusingpulsedlaserdeposition(PLD)
2、methodThestructureandopticalpropertiesoftheGenanocrystalsembeddedinamorphousSi02andLu203wereinvestigatedusingANSYS，Rietveldrefinementmethod，hi曲一resolutiontransmissionelectronmicroscopy(HRTEM)，Xraydiffractometry(XRD)andph
3、otoluminescencespectroscopy(PL)，respectivelyThemainresultsachievedinthisthesiscanbesummarizedasfollows：1、HRTEMshowedtheGenanocrystalsembeddedinSi02andLu203aresphericalshapeTheformationmechanismofGenanocrystalsisalsoexpla
4、ined2、ThebondlengthsofGenanocrystalsinLu203andSi02matricesaresmallerthanthatofbulkGeusingtheRietveldrefinementmethodThisisduetotheGenanocrystalsexperiencedcompressivestressinthebothmatricesFurthermore，itisfoundthatthebon
5、dlengthsofGenanocrystalsinLu203matrixissmallerthanthatinSi02matrix，whichCanbeattributedtothegreatercompressivestressexertedonGenanocrystalsbytheLu203matrixTheRietveldmethodwasperformedbytheFullprofcomputerprogram3、Twodim
6、ensionalfiniteelementcalculationsclearlyrevealthatGenanocrystalscertainlyexperiencedgreatercompressivestressinLu203thinfilmthaniIlSi02thinfilmTheseresultsareinagreementwiththeresultsoftheRietveldrefinementmethod4、Photolu
7、minescence(PL)propertyoftheGenanocrystalsinbothsamplesisanalyzedbyphotoluminescencespectroscopyatlowtemperatureTheenhancementPLintensitywasobservedinthesamplewithGenanocrystalsembeddedinLu203matrixThedifferenceofPLintens
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 半導(dǎo)體納米點(diǎn)鑲嵌在高K介電材料中的制備及其發(fā)光特性的研究.pdf
- ZnO、ZnS半導(dǎo)體納米材料的制備及發(fā)光特性研究.pdf
- 半導(dǎo)體納米材料的制備及發(fā)光性質(zhì)的研究.pdf
- 半導(dǎo)體發(fā)光納米材料的制備及性質(zhì)的研究.pdf
- 半導(dǎo)體納米晶的制備及其在電致發(fā)光器件中的應(yīng)用.pdf
- CdS半導(dǎo)體納米線的制備及特性研究.pdf
- 若干半導(dǎo)體納米線生長(zhǎng)機(jī)理及發(fā)光特性的研究.pdf
- 在半導(dǎo)體納米材料ITO中的單量子點(diǎn)熒光特性研究.pdf
- 硫族半導(dǎo)體納米晶材料的制備及發(fā)光性能研究.pdf
- 硫化物半導(dǎo)體納米材料的制備及特性研究
- 硫化物半導(dǎo)體納米材料的制備及特性研究.pdf
- 準(zhǔn)一維半導(dǎo)體納米材料的制備、表征及發(fā)光性能研究.pdf
- 半導(dǎo)體光致發(fā)光特性研究.pdf
- 一維半導(dǎo)體納米材料的制備、發(fā)光及場(chǎng)發(fā)射性能.pdf
- 半導(dǎo)體納米晶及PPV功能薄膜的制備及特性研究.pdf
- 半導(dǎo)體準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)及其摻雜的制備、表征與發(fā)光特性研究.pdf
- 一維半導(dǎo)體納米材料的制備與特性研究.pdf
- 鹽類半導(dǎo)體納米粒子與納米薄膜的制備及其發(fā)光性能研究.pdf
- 幾種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體納米線的合成及光、電、熱特性研究.pdf
- SiC和CdS半導(dǎo)體納米晶的制備及其發(fā)光性能.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論