BNT-SrTiO-,3-基陶瓷電容器材料的制備與介電性能的研究.pdf

1、目前隨著全球科技與工業(yè)的飛速發(fā)展某些電子元器件越來越成為人們?nèi)粘Ｉ钪斜夭豢缮俚囊徊糠?而這些電子元器件卻大多數(shù)含有對人體和環(huán)境有害的物質,在日常使用或被廢棄以后會對人們造成傷害對環(huán)境構成污染,因此現(xiàn)在人們迫切需要有一種性能可以與之媲美而又不會對人類和環(huán)境構成損害的無污染的新一代電子產(chǎn)品的誕生.尋找一種新型的、環(huán)保的、高性能的無鉛陶瓷電容器介質材料成為各國材料研究人員的共同目標. 本文以SrTiO<,3>和(Bi<,0.5>Na

2、<,0.5>)TiO<,3>材料為研究對象,通過對體系進行摻雜改性,以提高材料的介電性能,達到實際應用的需要.針對SrTiO<,3>的居里點處的介電常數(shù)很高,可達幾萬左右,但在在常溫下為順電相,介電常數(shù)較低,使用起來很不方便的缺點,而(Bi<,0.5>Na<,0.5>)TiO<,3>的居里溫度為320℃,由于兩種材料結構相同(鈣鈦礦結構),組成接近,因此討論SrTiO<,3>-(Bi<,0.5>Na<,0.5>)TiO<,3>二元體系的

3、組成與性能的關系,并摻雜MnCO<,3>(0～1.3wt﹪),Y<,2>O<,3>(0～1.3wt﹪),MgCO<,3>(0～0.5wt﹪)和CeO<,2>(0～0.5wt﹪)進行改性. 實驗結果顯示:各組分試樣分別在適當溫度下燒結,獲得了燒結良好的瓷體. 室溫下SrTiO<,3>系陶瓷的介電常數(shù)隨著BNT加入量的增加而逐漸提高,達到一定峰值后又逐漸下降,其最高可以達到4300.在(Bi<,0.5>Na<,0.5>)Ti

4、O<,3>-SrTiO<,3>基礎上摻雜MnCO<,3>,Y<,2>O<,3>,MgCO<,3>和CeO<,2>時發(fā)現(xiàn),MnCO<,3>摻雜具有居里峰展寬效應及壓峰效應；Y<,2>O<,3>摻雜對降低(Bi<,0.5>Na<,0.5>)TiO<,3>-SrTiO<,3>的介電損耗有一定的改性作用；MgCO<,3>具有居里峰展寬效應及壓峰效應,同時MgCO<,3>的摻雜有利于抑制晶粒的生長；CeO<,2>的加入使(Bi<,0.5>Na<,