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1、分子印跡技術(shù)是一種能在高分子材料中儲(chǔ)存分子形狀和信息的有效方法,可改善人工合成膜的分離性能。然而,將分子印跡技術(shù)應(yīng)用于膜分離還是一個(gè)嶄新的領(lǐng)域。 在大部分分子印跡研究中,基本上都是通過(guò)模板分子與膜材料間的氫鍵作用實(shí)現(xiàn)的,因?yàn)闅滏I能提供精確的分子識(shí)別??稍谒h(huán)境下,由于水的競(jìng)爭(zhēng),在印跡聚合物中自然形成的用于分子識(shí)別的氫鍵結(jié)構(gòu)易于斷裂;而靜電相互作用在極性溶劑(如醇或水)中,作為印跡應(yīng)用卻不受影響并是適宜的。因此本研究利用高分子設(shè)計(jì)
2、方法,以尿嘧啶(URA)為模板分子,以聚丙烯腈和具有荷正電結(jié)構(gòu)的兩親性功能單體乙烯苯.氯化二甲基十八烷基胺(VSMA)與丙烯腈的共聚物為膜材料,利用相轉(zhuǎn)化分子印跡法制備了不同組成的兩親共混膜,探討了帶有荷正電結(jié)構(gòu)的兩親性共混(印跡)膜與模板分子間的作用機(jī)制和識(shí)別機(jī)理。 研究表明,兩親組分P(AN-co-VSMA)的含量顯著影響共混膜的斷面和表面結(jié)構(gòu)。在兩親組分含量不高的情況下,共混膜呈現(xiàn)出一種典型的不對(duì)稱大孔結(jié)構(gòu),隨著兩親組分含
3、量的增加,分離膜的致密表層增厚,指狀孔結(jié)構(gòu)逐漸消失并最終呈現(xiàn)出均質(zhì)結(jié)構(gòu)。同時(shí),從SEM和AFM圖上還可觀察到隨著兩親組分含量的增加,膜表面也逐漸平整。當(dāng)兩親組分含量從10wt%增加到54wt%時(shí),膜表面粗糙度由5.428nm降為1.784nm,說(shuō)明隨著兩親組分的增加,共混膜結(jié)構(gòu)和形態(tài)趨于平整和致密,這與水通量和截流率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果也是一致的。 通過(guò)振蕩吸收實(shí)驗(yàn)和基質(zhì)透過(guò)實(shí)驗(yàn)考察了所制備的印跡膜對(duì)模板分子URA吸收性能。發(fā)現(xiàn)在振蕩吸收
4、實(shí)驗(yàn)中,隨著兩親組分含量的增加,膜與URA之間的靜電作用加強(qiáng),因而膜對(duì)URA的吸收也隨之增加。然而,非印跡膜的吸收量均高于印跡膜,這是由于在相轉(zhuǎn)化成膜過(guò)程中印跡膜的成膜速度要高于非印跡膜,從而使N<'+>基團(tuán)分布在印跡膜表面層的密度低于非印跡膜,不利于URA在印跡膜表面的負(fù)載。在基質(zhì)透過(guò)實(shí)驗(yàn)中,發(fā)現(xiàn)印跡膜對(duì)URA的吸收量均高于非印跡膜。說(shuō)明靜電作用的分子印跡膜對(duì)模板分子的識(shí)別性能,不僅與膜的電荷分布和密度有關(guān),更主要的取決于膜的形態(tài)結(jié)構(gòu)
5、。對(duì)于兩親組分含量低(10wt%和19wt%)的共混膜,印跡膜的吸收量明顯高于非印跡膜;而對(duì)于兩親組分含量較高(28wt%和54wt%)的共混膜,印跡膜與非印跡膜的吸收量差距不明顯。此外,以往的研究還表明采用相轉(zhuǎn)化法制備的URA分子印跡P(AN-cO-MAA)膜具有較好的URA分子識(shí)別性能,為此,我們采用流變學(xué)方法研究了URA分子印跡P(AN-co-MAA)和PAN鑄膜液的流變行為。結(jié)果發(fā)現(xiàn)在靜態(tài)流變實(shí)驗(yàn)中,鑄膜液的粘度均隨URA含量的
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