基于MOSFETs串聯(lián)的研究.pdf

1、功率脈沖技術(shù)是隨著高尖端能源武器、環(huán)境保護(hù)技術(shù)以及生物技術(shù)的發(fā)展而催生的新技術(shù)，它是許多高科技的基礎(chǔ)，也是眾多國家競相研究的熱點(diǎn)。隨著這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展其應(yīng)用領(lǐng)域也越來越寬。功率脈沖技術(shù)的發(fā)展極大地依賴于開關(guān)器件性能的提高。對于大多數(shù)功率脈沖發(fā)生器，其輸出電壓幅值、脈沖波形的性能、使用壽命都是由開關(guān)器件的能力所決定的。然而，以目前的半導(dǎo)體制造技術(shù)，還不能制造出同時滿足脈沖源耐壓條件及開關(guān)速度要求的單開關(guān)器件。因此，如何從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上解決開關(guān)的

2、耐壓問題與在驅(qū)動中解決開關(guān)導(dǎo)通與關(guān)斷速度問題成為制約功率脈沖技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。 本文通過對一般功率脈沖電源的方案進(jìn)行對比分析，提出了一種以功率MOSFET為開關(guān)器件，采用多開關(guān)串聯(lián)形式組成的高壓脈沖電源。以MOSFET 驅(qū)動芯片UCC27321 作為控制芯片對開關(guān)器件進(jìn)行驅(qū)動，通過光纖同步觸發(fā)，解決了多開關(guān)控制同步困難的問題。建立電路模型并使用Pspise 進(jìn)行數(shù)值模擬，并據(jù)此進(jìn)行了關(guān)鍵器件的選擇,同時運(yùn)用MOSFET 開關(guān)構(gòu)