絕緣金屬基板表面絕緣薄膜的制備和介電性能研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文分別采用陽(yáng)極氧化法、微弧氧化法和磁控反應(yīng)濺射沉積氮化鋁薄膜的方法對(duì)功率電子器件用金屬鋁基板表面進(jìn)行絕緣化處理。采用x射線衍射儀(XRD)對(duì)表面絕緣薄膜的物相組成進(jìn)行了分析，掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)表面絕緣薄膜的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究，并用絕緣電阻測(cè)試儀、耐壓測(cè)試儀和精密阻抗分析儀分別對(duì)絕緣膜進(jìn)行絕緣電阻率、擊穿場(chǎng)強(qiáng)和介電性能的測(cè)試。研究了磁控反應(yīng)濺射工藝條件（濺射功率、靶基距和基板溫度）對(duì)氮化鋁絕緣薄膜介電性能的影響。結(jié)果表明：(1)

2、 以濃度2﹪草酸為電解液，0.5A恒流控溫陽(yáng)極氧化（?32.5℃）得到的絕緣氧化膜具有大的絕緣電阻率（2.34×1013Ω?cm）和擊穿場(chǎng)強(qiáng)（73.8 V/μm），并具有優(yōu)異的低頻（?2MHz）介電性能（? 為8.75左右，tan??0.20）。(2) 微弧氧化放電通道的存在，降低了薄膜的絕緣性能和介電性能。(3) P=150W，d=5cm的條件下，較大的襯底溫度可以使薄膜表面更光滑且缺陷很少，具有更優(yōu)異的低頻介電性能（200℃，??1

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