在載體金屬材料Ag、Be、Rh、Zr、Sm和Dy中低能區(qū)D（d，p）T反應的研究.pdf

1、在天體物理感興趣的遠低于庫侖勢壘的能區(qū)，帶電粒子的反應截面隨能量降低而近似指數(shù)的急劇下降，這就使得在這一能區(qū)帶電粒子核反應截面極難測量。通過實驗研究發(fā)現(xiàn)，超低能區(qū)的氘氘聚變反應的反應截面隨反應環(huán)境(各種載體金屬材料)的改變有非常明顯的不同，這主要是由于在金屬載體材料中受到屏蔽效應影響而引起的。為了研究載氘金屬材料對超低能區(qū)的氘氘聚變反應的屏蔽效應，我們在日本東北大學核科學實驗室的低能強流加速器上對不同金屬材料中的氘氘聚變反應進行了系統(tǒng)測

2、量。本文工作主要是研究在銀，鈹，銠，鋯，釤，鏑等載氘金屬材料中10到20 keV(實驗室系能量)能區(qū)的氘氘聚變反應。我們得到了以上六種金屬的屏蔽能依次分別是146+18 eV,163±25 eV,313±48 eV,711±110eV,520±56 eV,395±35eV,同時根據(jù)探測到的D-D反應產(chǎn)生的質(zhì)子產(chǎn)額推導出了在該能區(qū)載體金屬材料環(huán)境中的相對質(zhì)子產(chǎn)額。同時，我們還結(jié)合國際原子能機構(gòu)公布的氘氘聚變反應截面的編評數(shù)據(jù)，得出氘氘聚變