磁性誘發(fā)兩相分離型Co-V基合金薄膜的制備與磁學(xué)性能研究.pdf

1、信息時(shí)代的今天，磁記錄是主要的存儲(chǔ)手段。隨著計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的發(fā)展，人們需要越來(lái)越高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度，垂直磁記錄介質(zhì)是實(shí)現(xiàn)超高密度垂直磁存儲(chǔ)的重要一環(huán)。本論文闡述了垂直磁記錄的基本原理以及其對(duì)磁記錄介質(zhì)的要求，研究了磁性誘發(fā)兩相分離型Co—V基薄膜的磁學(xué)性能，并對(duì)目前應(yīng)用的垂直磁記錄介質(zhì)Co—Cr—Ta體系進(jìn)行了相平衡的實(shí)驗(yàn)測(cè)定。本論文的主要研究?jī)?nèi)容如下： (1)利用射頻磁控濺射方法制備了一系列Co—V二元合金薄膜，表征了薄膜的晶

2、體結(jié)構(gòu)、表面形貌、微區(qū)結(jié)構(gòu)以及面內(nèi)和垂直膜面方向的磁學(xué)性能，分析了沉積溫度、V含量及薄膜厚度等因素對(duì)薄膜磁學(xué)性能的影響。研究結(jié)果表明：在423K下沉積的Co-21V(at．％)薄膜具有最佳的垂直膜面方向的磁學(xué)性能，其矯頑力達(dá)到2250Oe，磁滯回線的矩形比(Mr/Ms)達(dá)到了0.74，飽和磁化強(qiáng)度Ms為650(emu/cc)，其矯頑力、矩形比和飽和磁化強(qiáng)度均大于目前應(yīng)用的Co—Cr垂直磁記錄薄膜。 (2)通過共濺射方法制備了Co

3、—V—Ta三元合金薄膜，分析了Ta元素含量對(duì)Co—V—Ta三元合金薄膜的晶體結(jié)構(gòu)以及垂直膜面的磁學(xué)性能的影響，同時(shí)還考察了濺射溫度及退火熱處理對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和磁學(xué)性能的影響。研究結(jié)果表明：常溫下沉積的Co—7.8V—8.9Ta(at．％)薄膜具有最好的磁學(xué)性能。矯頑力為2550Oe，矩形比(Mr/Ms)為0.75，而飽和磁化強(qiáng)度Ms達(dá)到600(emu/cc)(3)通過合金法，首次實(shí)驗(yàn)測(cè)定了目前應(yīng)用的垂直磁記錄介質(zhì)Co—Cr—Ta三元系合金