C、N元素對Fe-Mn-Si合金層錯幾率的影響和微結(jié)構(gòu)的HREM表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、Fe-Mn-Si基形狀記憶合金由于其低廉的價格和良好的加工性能,具有廣闊的應(yīng)用前景,近年來一直是形狀記憶合金研究的熱點。其形狀記憶效應(yīng)主要依靠的馬氏體相變及逆相變來實現(xiàn),研究表明該馬氏體相變通過奧氏體母相中的層錯形核、并增值長大,因此Fe-Mn-Si合金形狀記憶效應(yīng)的改善主要圍繞馬氏體相變及其逆相變來開展,如熱彈性馬氏體的獲得,改變熱處理工藝引入所謂的熱機械訓(xùn)練,添加合金元素等。C、N間隙元素的添加對于層錯幾率和形狀記憶效應(yīng)的影響已有許

2、多學(xué)者從理論和實驗上進行了研究,但是并沒有定論。 本文通過XRD峰寬化、峰位移法以及電子衍射斑點位移法對Fe-Mn-Si合金中的層錯幾率進行了測定,分析了C、N元素對層錯幾率和形狀記憶效應(yīng)的影響;并用高分辨電鏡(HREM)對奧氏體中的層錯和界面進行了表征。實驗過程中,發(fā)現(xiàn)了Fe-Mn-Si合金中的長周期結(jié)構(gòu),與Ni-Mn-Ga合金中的長周期結(jié)構(gòu),并對兩者進行了分析和比較。在XRD的峰寬化法實驗中,采用Jade軟件修正的工具線寬代

3、替Al標(biāo)樣估計的工具線寬來計算復(fù)合層錯幾率,并對XRD峰位移法的誤差進行了簡單討論。發(fā)現(xiàn)了在Fe-Mn-Si形狀記憶合金奧氏體中層錯的密集堆疊,同樣能夠引起電子衍射斑點的位移,并對局域?qū)渝e幾率進行了測定。對比XRD方法測得平均層錯幾率與電子衍射斑點位移法測得局域?qū)渝e幾率,發(fā)現(xiàn)兩者相差兩個數(shù)量級,表明層錯在材料內(nèi)部分布的不均勻性,也為層錯形核的馬氏體相變機理提供了支持。經(jīng)分析形狀記憶效應(yīng)的測試結(jié)果和對應(yīng)的層錯幾率后,發(fā)現(xiàn)兩者之間并沒有對應(yīng)

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