Cu)(001)表面上團(tuán)簇Cu13和u116及沉積原子Cu結(jié)構(gòu)的分子動(dòng)力學(xué)研究.pdf

1、近些年來(lái)，隨著新型納米電子器件、新型納米催化劑等技術(shù)的飛速發(fā)展，以及一些新的實(shí)驗(yàn)技術(shù)、手段的采用，使得貴金屬粒子在不同襯底上結(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)和理論研究越來(lái)越受到研究者們的關(guān)注。但是，傳統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)方法很難直接觀測(cè)到原子結(jié)構(gòu)的變化。建立在經(jīng)驗(yàn)或半經(jīng)驗(yàn)原子勢(shì)基礎(chǔ)上的計(jì)算機(jī)模擬則為人們提供了一種研究這種原子尺度上結(jié)構(gòu)變化的手段。
　　 本文使用基于Johnson的Au-Cu二元體系嵌入原子勢(shì)模型的分子動(dòng)力學(xué)方法，模擬了Cu(001)表面上具有完

2、全二十面體結(jié)構(gòu)Cu13團(tuán)簇、面心立方結(jié)構(gòu)Au116團(tuán)簇和Cu沉積原子的結(jié)構(gòu)變化，在對(duì)這些結(jié)構(gòu)的原子密度分布、原子平均內(nèi)能和結(jié)合能等進(jìn)行分析后，結(jié)果表明：
　　 Cu13團(tuán)簇與Cu(001)表面作用后，團(tuán)簇幾何結(jié)構(gòu)和結(jié)合能受到吸附位吸附高度以及溫度的共同影響。溫度較低時(shí)，團(tuán)簇幾何結(jié)構(gòu)和結(jié)合能受吸附位吸附高度的影響較大；溫度較高時(shí)，團(tuán)簇幾何結(jié)構(gòu)和結(jié)合能受吸附位吸附高度的影響較小。結(jié)合能與團(tuán)簇吸附在襯底表面第一層的原子數(shù)量相關(guān)。

3、>　　 凹槽的存在和溫度影響了異質(zhì)Au團(tuán)簇/Cu表面界面處的原子結(jié)構(gòu)，處在團(tuán)簇與襯底交界處的團(tuán)簇原子受到凹槽的影響相對(duì)較大，較寬的凹槽和較高的溫度有利于團(tuán)簇原子與襯底原子間的位置交換。
　　 在將具有不同入射能的Cu原子沉積到的具有不同深寬比凹槽形的Cu(001)表面過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，在同一槽寬的情況下，沉積后的結(jié)構(gòu)依賴于槽的深度和入射能。在一定入射能量范圍內(nèi)，提高入射能有利于得到能量較低的結(jié)構(gòu)，并且使凹槽內(nèi)存在的空隙區(qū)域變??；由于