幾種低發(fā)射率紅外隱身材料的研制.pdf

1、隨著軍用光電技術(shù)的迅速發(fā)展，空中的軍事目標(biāo)面臨著日趨嚴(yán)重的光電威脅與紅外威脅。各種先進(jìn)的光電偵察設(shè)備和光電制導(dǎo)的空空、地空導(dǎo)彈，都能以其高精度使現(xiàn)代化的飛機(jī)難以逃脫，現(xiàn)代軍事技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了“目標(biāo)只要被發(fā)現(xiàn)，就能被摧毀”的水平。因此，要提高軍事目標(biāo)的生存能力，就要降低被探測(cè)和發(fā)現(xiàn)的概率，紅外隱身防護(hù)材料即是其中一種。
　　本課題針對(duì)國(guó)內(nèi)外紅外隱身材料的研究現(xiàn)狀，對(duì)現(xiàn)有的紅外隱身材料進(jìn)行了分析。根據(jù)紅外隱身機(jī)理，采用化學(xué)鍍技術(shù)和材料表

2、面包覆技術(shù)，分別制備了兩種類型的低發(fā)射率紅外隱身材料——鋇鐵氧體表面化學(xué)鍍改性材料和紅外透明材料包覆鋁粉復(fù)合材料，并分別對(duì)其制備工藝進(jìn)行了優(yōu)化，研究了各工藝參數(shù)對(duì)材料紅外發(fā)射率的影響。
　　鋇鐵氧體化學(xué)鍍的工藝優(yōu)化過程中，研究了主鹽濃度、還原劑濃度、絡(luò)合劑濃度、pH值、反應(yīng)溫度等工藝參數(shù)對(duì)樣品紅外發(fā)射率的影響，結(jié)果表明鍍Ni-P的最佳工藝條件為：裝載量4g/L，硫酸鎳30g/L，次亞磷酸鈉20g/L，檸檬酸鈉70g/L，硫酸銨50

3、g/L，反應(yīng)溫度85℃，pH值為10.0；鍍Ni-Co-P的最優(yōu)工藝條件為：裝載量4g/L，硫酸鎳鈷30g/L，硫酸鎳鈷的質(zhì)量比為1:1，次亞磷酸鈉20g/L，檸檬酸鈉70g/L，硫酸銨50g/L，反應(yīng)溫度85℃，pH值為10.0。采用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射儀(XRD)等現(xiàn)代分析測(cè)試手段對(duì)樣品的表面形貌及物相結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。利用傅立葉變換紅外光譜儀的漫反射系統(tǒng)測(cè)試了材料的紅外發(fā)射率，發(fā)現(xiàn)化學(xué)鍍Ni-P后材料在8～14μm的

4、紅外發(fā)射率由原來的0.8915降低到了0.5910，鍍Ni-Co-P不但使鋇鐵氧體的紅外發(fā)射率降低到了0.5854，而且鈷離子的加入改善了鍍層的磁性能，提高了材料的雷達(dá)吸波能力。
　　本文采用均勻沉淀法，以尿素為沉淀劑，制備紅外透明材料包覆鋁粉復(fù)合粒子，首先在鋁粉表面包覆一層Ni2CO3(OH)2前驅(qū)物，然后放入馬弗爐中煅燒450℃×1h，即制得NiO/Al復(fù)合粒子。另以硫代乙酰胺為沉淀劑，制備了ZnS/Al復(fù)合粒子。分別研究了不