無線接收機中低噪聲放大器的研究.pdf

1、無線接收機中低噪聲放大器的研究重慶大學碩士學位論文學生姓名：王國波指導教師：張流強副教授專業(yè)：微電子學與固體電子學學科門類：工學重慶大學光電工程學院二OO八年四月重慶大學碩士學位論文中文摘要I摘要近年來無線通信的迅猛發(fā)展推動了學術界和工業(yè)界對全集成無線收發(fā)機的研究。無線接收機射頻前端一度被砷化鎵、硅雙極、BiCMOS等工藝主宰，但隨著CMOS工藝特征尺寸的減小和工藝技術的不斷進步，CMOS工藝應用于射頻前端可達到較好的性能，所以全集成的

2、CMOS無線收發(fā)機也已成為一個研究焦點。由于集成射頻前端的發(fā)展需要經歷一個過程，使得它和分立射頻器件將在很長時期內同時存在。無線接收機的第一個有源模塊是低噪聲放大器，它要把從天線接收的微弱的信號進行放大，所以它的性能尤其是噪聲系數(shù)將直接影響整機的效果。所以對CMOS低噪聲放大器和分立低噪聲放大器模塊的研究具有一定的實用價值。本文分析了低噪聲放大器的設計理論、噪聲理論、CMOS工藝中的無源元件以及亞微米的MOS管結構。對螺旋電感的幾何參數(shù)

3、與Q值的關系進行了分析；基于TSMC0.18umRFCMOS工藝設計了一種插入級間匹配電感的差分低噪聲放大器，并對級聯(lián)級柵寬的選擇在傳統(tǒng)方法基礎上做了優(yōu)化，仿真表明：在400M帶寬內增益大于18.36dB、中心頻率增益為19.99dB、噪聲系數(shù)為1.49dB、輸出1dB壓縮點為10dBm、輸出三階交調點為19dBm；同時也對分立低噪聲放大器進行了研究，并設計了兩個分立低噪聲放大器，其中一個是用分立器件匹配設計的窄帶的低噪聲放大器，另一個