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文檔簡介
1、本文對用于片上系統(tǒng)輸入輸出電路的PMOSFET熱載流子損傷進(jìn)行了研究。在前人理論研究的基礎(chǔ)上，討論了PMOSFET中熱載流子損傷引起的柵氧化層缺陷，結(jié)合實(shí)驗(yàn)解釋了局部熱載流子損傷引起的PMOSFET 電學(xué)特性的退化。并得到了熱載流子引起的PMOSFET電學(xué)參數(shù)的退化行為與漏極應(yīng)力電壓及柵極電壓的關(guān)系。針對文中被研究的PMOSFET，找到了最嚴(yán)重的熱載流子損傷應(yīng)力條件，同時驗(yàn)證了正確描述PMOSFET 熱載流子退化與應(yīng)力時間的對數(shù)關(guān)系。在
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